Спецификации
Номер модели :
Х9ХКННН4КММЛХР
Количество минимального заказа :
1 пакет
Термины компенсации :
Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Способность поставкы :
6000pcs в месяц
Срок поставки :
3-5 дней работы
Упаковывая детали :
10cm x 10cm x 5cm
Номер товара :
Х9ХКННН4КММЛХР
Пакет :
BGA200
Орг. :
X16
Плотность :
4GB
ВОЛ.: :
1.8В-1.1В-0.6В
Скорость :
L/M
Описание

Хранение микросхемы памяти микросхемы памяти H9HCNNN4KMMLHR 4Gb LPDDR4 BGA200 ДРАХМЫ микросхемы памяти ДРАХМЫ

 

 

Особенности:

 VDD1 = 1.8V (1.7V к 1.95V) · VDD2 и VDDCA = 1.1V (1.06V к 1.17V) · VDDQ = 0.6V (0.57V к 0.65V) · VSSQ прекратило сигналы DQ (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI) · Одиночные данные классифицируют архитектуру для команды и адреса;   - все контроль и адрес запертые на задвижку на поднимая крае часов · Двойные данные классифицируют архитектуру для шины данных;   - 2 доступа к данным в такт · Входные сигналы дифференциальных часов (CK_t, CK_c) · Двухнаправленный дифференциальный строб данных (DQS_t, DQS_c)   - Сделка данным по источника одновременная выровнянная к двухнаправленному дифференциальному стробу данных (DQS_t, DQS_c) · Поддержка штыря DMI для пишет данные маскируя и функциональность DBIdc · Programmable RL (прочитанная латентность) и WL (напишите латентность) · Длина взрыва: 16 (дефолт), 32 и на ходу   - На лету режим позволен ГОСПОЖОЙ · Автомобиль освежает и собственная личность освежает поддержанный · Весь автомобиль банка освежить и сразу в автомобиль банка освежает поддержанный · Автоматическое TCSR (собственная личность компенсированная температурой освежает) · PASR (частично собственная личность массива освежает) маской банка и маской этапа · Тарировка предпосылки ZQ
Технические характеристики изделия
Номер детали.

 Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Вертеп.

 

Org.

 

VOL.

 

Скорость

 

Сила

 

ПАКЕТ

 

Состояние продукта

 

H9HCNNN4KMMLHR 4Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V L / M Низкая мощность 200 Массовое производство
H9HCNNN4KUMLHR 4Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Низкая мощность 200 Массовое производство
H9HCNNN8KUMLHR 8Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Низкая мощность 200 Массовое производство
H9HCNNNBKMMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V M / E Низкая мощность 200 Массовое производство
H9HCNNNBKUMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V M / E Низкая мощность 200 Массовое производство
H9HCNNNBPUMLHR 16Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V L / M Низкая мощность 200 Массовое производство
H9HCNNNCPMMLHR 32Gb x16 1.8V-1.1V-0.6V M / E Низкая мощность 200 Массовое производство
H9HCNNNCPUMLHR 32Gb x16 1.8V-1.1V-1.1V M / E Низкая мощность 200 Массовое производство

 

Скорость
Номер детали Скорость
L 3200Mbps
M 3733Mbps

 

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Спросите последнюю цену
Номер модели :
Х9ХКННН4КММЛХР
Количество минимального заказа :
1 пакет
Термины компенсации :
Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Способность поставкы :
6000pcs в месяц
Срок поставки :
3-5 дней работы
Упаковывая детали :
10cm x 10cm x 5cm
Контактный поставщик
Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
8 Годы
С тех пор 2009
Вид деятельности :
Раздатчик/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller
Общее годовое :
5000000-10000000
Количество работников :
100~120
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Контактный поставщик
Требование о предоставлении