Высококачественный церий-допированный гадолиний-алюминий Ce:Gallium Garnet GAGG Crystal
GAGG:Ce (Cerium-doped Gadolinium Aluminium Gallium Garnet) - это перспективный новый сцинтилляторный кристалл.практически отсутствующий внутренний фон и прочностьВ связи с его новизной, литература о GAGG:Ce:CE по-прежнему испытывает недостаток в вопросах, имеющих решающее значение для его применения в космических миссияхВ частности, GAGG:Ce характеризуется необычно высоким и длительным задержкой свечения.
Основные преимущества:
1. относительно яркий излучающий > 50 000 фотонов/МЕВ
2. Хорошие абсорбторы с хорошей тормозной способностью - плотность 6,63 г/см3
3. Широко излучает с пиком 540 нм
4Хорошее разрешение энергии
Основные применения:
обнаружение γ-лучей
Рентгеновская медицинская визуализация
Ядерная физика
Выявление ядерного излучения
ПЭТ
Основные свойства:
| Свойства | Объекты |
| длина волны (максимальная эмиссия) | 520 нм |
| Диапазон длины волны | 475 - 800 нм |
| Время распада | 50 - 150 нс |
| Урожайность света | 40 - 60 фотонов/кеВ |
| Индекс преломления | 1.9 @540nm |
| Плотность | 60,63 г/см3 |
| Атомный номер (фактический) | 54.4 |
| Точка плавления | 1850 oC |
| Тепловое расширение Кофф. | TBA x 10 ̅6 C−¹ |
| Твердость | 8 Мос |
Спецификации:
| Чамфер | <0,2×45° |
| ОриентацияТолерантность | < 0,5° |
| Толерантность толщины/диаметра | ± 0,05 мм |
| Прозрачная диафрагма | > 90% |
| Извращение фронта волны | Диа 70 мм |
| Качество поверхности | 10/5(Ограбление / Копание) |
| Параллельно | 10′′ |
| Перпендикулярный | 5′ |
