MachineU > Китайские продукты > Минералы и металлургия > Металлы и изделия из металла > Редкоземельные элементы и продукты
Пленка для субстрата SGGG диаметром 3 дюйма (замещенный гадолиний галлиевый гранат)
Пленка для субстрата SGGG диаметром 3 дюйма (замещенный гадолиний галлиевый гранат)
Пленка для субстрата SGGG диаметром 3 дюйма (замещенный гадолиний галлиевый гранат)
Пленка для субстрата SGGG диаметром 3 дюйма (замещенный гадолиний галлиевый гранат)
Спецификации
Место происхождения :
КНР
Минимальное количество заказов :
1pc
Условия оплаты :
T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Способность к поставкам :
5000 штук в месяц
Время доставки :
4-5weeks
Подробная информация об упаковке :
Прозрачная чистая коробка
Номер модели :
CR200629-01
Материал :
SGGG
Плоскость :
<1>
Имя :
Вениса SGGG галлия гадолиния Subsituted
Метод выращивания кристаллов :
Czochralski
Ориентация выращивания кристаллов :
(100), (111)
Максимальный размер :
диаметр 3 дюймов
Допуск диаметра :
± 0,05 мм
Допуск длины :
±0,2 мм
Описание

3 дюйма диаметром SGGG субстратная пленка (замещенный гадолиний галлиевый гранат)

SGGG однокристаллический, например, замененный гадолиний галлиевый гранат выращиваетсяЦочральскиМетод.
Кристаллы SGGG с кальцием, магнием и цирконием в качестве заменяющих ионов, которые используются как субстраты для роста эпитаксиальных пленок железного граната, замещенных висмутом, которыеХороший материал для YIG и BIG FILM.
 
Наша компания:
Crystro имеет совершенно автоматические производственные машины, текущие продукты в основном сосредоточены вYAG, TGG, TSAG,GGG,LGS,Ce:GAGG,Ce:YAG и Ce:LuYAGкристаллы.
Мы также создали исследовательский центр кристаллов и разработали различные виды кристаллов.

                               

Свойства кристаллов
Метод выращивания кристаллов Цочральски
Ориентация на рост кристаллов (100), (111)
Максимальный размер 3 дюйма в диаметре
Изменения Допинги по запросу
Кристаллографические свойства
Кристаллографическая структура Кубический
a = 12,383 Å
a = 12,505 ÅСРГГ
Минералогическая Гранит
Структура партнерства Идеально.
Цвет Без цвета /Коричневый SGGG
Физические свойства
Плотность 70,09 г/см3
Точка плавления 1730 °C
Твердость 7.5 (Мох)
Диэлектрическая постоянная 30
Тангенс диэлектрических потерь (10 ГГц) примерно 3,0 * 10_4
Оптические свойства
Диапазон передачи 0от.3 до 7.0 мм
Индекс преломления: nd = 1,9708 при 577 нм


CRYSTRO поставляет кристалл GGG с:

 

 

Ориентация <111> <100> в пределах ±15 мин дуги
Извращение фронта волны < 1/4 волны@632
Толерантность диаметра ± 0,05 мм
Толерантность длины ±0,2 мм
Чамфер 0.10 мм @ 45o
Плоскость < 1/10 волны при 633 нм
Параллелизм < 30 дуговых секунд
Перпендикулярность < 15 дуговых минут
Качество поверхности 10/5 Скретч/Капать
Прозрачная дверь > 90%
Большие размеры кристаллов 20,8-76 мм в диаметре
Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Пленка для субстрата SGGG диаметром 3 дюйма (замещенный гадолиний галлиевый гранат)

Спросите последнюю цену
Смотрите видео
Подробная информация о продукте
Место происхождения :
КНР
Минимальное количество заказов :
1pc
Условия оплаты :
T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Способность к поставкам :
5000 штук в месяц
Время доставки :
4-5weeks
Подробная информация об упаковке :
Прозрачная чистая коробка
Контактный поставщик
видео
Пленка для субстрата SGGG диаметром 3 дюйма (замещенный гадолиний галлиевый гранат)
Пленка для субстрата SGGG диаметром 3 дюйма (замещенный гадолиний галлиевый гранат)

ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Verified Supplier
7 Годы
С тех пор 2016
Вид деятельности :
Manufacturer, Exporter
Основные продукты :
Магнитооптические кристаллы, Однокристаллические субстраты, Кристаллы пьезоэлектрического эффекта
Общее годовое :
5000,000-8000,000
Количество работников :
80~100
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты Однокристаллические субстраты
MachineU Китайские продукты Минералы и металлургия Металлы и изделия из металла Редкоземельные элементы и продукты
Контактный поставщик
Требование о предоставлении