MachineU > Китайские продукты > Свет и освещение > Аксессуары для освещения > Светодиодный драйвер
Обломок MOSFET IC канала IC n интегральных схема IRFB4115PBF
Обломок MOSFET IC канала IC n интегральных схема IRFB4115PBF
Спецификации
Номер модели :
IRFB4115PBF
Место происхождения :
Первоначальный изготовитель
Количество минимального заказа :
1pcs
Условия оплаты :
L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :
300000/pcs/week
Срок поставки :
1-3day
Упаковывая детали :
Первоначальный пакет
Описание :
MOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg
Запас :
300000
Грузя метод :
Срочный
Состояние продукта :
На продаже
Категория продукта :
MOSFET
Устанавливать стиль :
Через отверстие
Полярность транзистора :
N-канал
Пакет/случай :
TO-220-3
время выполнения :
В течение 3 дней
Номер серии :
Самый новый
Срочный :
Federal Express, tnt, DHL, ems, поднимает
Описание

Интегральные схемаы IRFB4115PBF новые первоначальные IC в MOSFET обломока N-канала запаса

 

Описание интегральной схемаы:

IRFB4115PBF транзистор MOSFET силы от технологий Infineon. Оно конструирован для того чтобы переключить большие токи с низким сопротивлением на-государства, делая его соответствующим для широкого диапазона применений производительности электроники, включая управление мотора, электропитания, и освещать.

 

Некоторые из главных особенностей IRFB4115PBF включают:

  • оценка напряжения тока Сток-источника 150 v
  • Оценка непрерывного стока настоящая 180 a
  • Низкое сопротивление на-государства mOhm 2,2 на напряжении тока ворот 10 v
  • Быстрая переключая скорость с низкой обязанностью ворот
  • Оценка энергии лавины 550 mJ
  • Пакет TO-220 для легкой установки и тепловыделения

 

 

Спецификация обломока IC интегральной схемаы:

Атрибут продукта Атрибут со значением
Изготовитель: Infineon
Категория продукта: MOSFET
RoHS: Детали
Технология: Si
Устанавливать стиль: Через отверстие
Пакет/случай: TO-220-3
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds - пробивное напряжение Сток-источника: 150 v
Id - непрерывное течение стока: 104 a
Rds на - сопротивлении Сток-источника: 9,3 mOhms
Vgs - напряжение тока Ворот-источника: - 20 V, + 20 V
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника: 5 v
Qg - обязанность ворот: 77 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 c
Максимальная рабочая температура: + 175 c
Режим канала: Повышение
Упаковка: Трубка
Бренд: Технологии Infineon
Конфигурация: Одиночный
Время падения: 39 ns
Передний Transconductance - минута: 97 s
Высота: 15,65 mm
Длина: 10 mm
Тип продукта: MOSFET
Время восхода: 73 ns
Количество пакета фабрики: 1000
Subcategory: MOSFETs
Тип транзистора: 1 N-канал
Типичное время задержки поворота-: 41 ns
Типичное время задержки включения: 18 ns
Ширина: 4,4 mm
Вес блока: 0,068784 oz

Обломок MOSFET IC канала IC n интегральных схема IRFB4115PBF

P/N Изготовитель Упаковка Код даты Qty
YE00411+00U152 Vishay N/A 22+ 82000
YH57-08-00517-323202 Vishay N/A 23+ 42000
YE00417+00U152 Vishay N/A 22+ 90000
Y410-F02- Vishay N/A 22+ 60000
YB25WRKW01- Vishay N/A 23+ 90000
YB15MKG03-5F Vishay N/A 22+ 35000
YB15WCKW01-1C24- Vishay N/A 22+ 59000
YE00449+01152 Vishay N/A 22+ 47000
YB16RKG01-12- Vishay N/A 23+ 26900
YB15SKW01-1D24- Vishay N/A 22+ 30000
YB215CWCKG01-5F12- Vishay N/A 23+ 90000
YB15WSKW01-5C24- Vishay N/A 23+ 80000
YNT-2216 Vishay N/A 23+ 60000
Y141732C2W Vishay N/A 23+ 60000
YB15CKG01-5D Vishay N/A 23+ 60000
Y201317K Vishay N/A 22+ 60000
Y54-F03- Vishay N/A 22+ 45000
YAZV2CTC14F Vishay N/A 23+ 98000
YZ-2RDS5551-A22 Vishay N/A 22+ 68000
YE00448+00152 Vishay N/A 23+ 35000
Y210-F01- Vishay N/A 23+ 60000
YB225CWCKW01-5D Vishay N/A 23+ 60000
YH46-26-00255-323202 Vishay N/A 23+ 60000
Y24-F02- Vishay N/A 23+ 30000
YB25SKW01- Vishay N/A 23+ 90000
YAZV26TC14F Vishay N/A 23+ 80000
YB16WCKW01-2CF05- Vishay N/A 23+ 60000
YB15MKW01-5F Vishay N/A 23+ 60000
YE00437+01152 Vishay N/A 23+ 60000
Y210-F02 Vishay N/A 22+ 60000
YB16WSKG01-1C12- Vishay N/A 22+ 45000
YE00424+01152 Vishay N/A 23+ 98000
YB25WRKG01 Vishay N/A 22+ 68000
YRS -1590 Vishay N/A 23+ 35000
Y64B-4GA-T2N Vishay N/A 23+ 60000
Y310-F02- Vishay N/A 22+ 60000

Обломок MOSFET IC канала IC n интегральных схема IRFB4115PBF

 

Обломок MOSFET IC канала IC n интегральных схема IRFB4115PBF

Q: Вы продукты первоначальные?
: Да все продукты первоначальны и произведены первоначальными изготовителями.

 

Q: Что ваше время выполнения?
: Он зависит от количества заказа и сезона вы делаете заказ заказ.
Обычно мы можем грузить в течение 1-3 дней на небольшое количество, и около 15 дней для большого количества

 

Q: Если я сделайте заказ заказ, то сколько времени он примет для того чтобы поставить?
: Нормально, он принимает о только 1-3 рабочих днях после получать оплату, зависит на приказанном количестве и состоянии запаса.
 

Q: Как вы испытываете продукт прежде чем они упакованы?
: Мы имеем строгую процедуру по QC, каждый продукт будем испытаны с профессиональными процедурами перед паковать.
Мы можем грузить товары к ЛАБОРАТОРИИ по мере того как вы спросили.

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Обломок MOSFET IC канала IC n интегральных схема IRFB4115PBF

Спросите последнюю цену
Смотрите видео
Подробная информация о продукте
Номер модели :
IRFB4115PBF
Место происхождения :
Первоначальный изготовитель
Количество минимального заказа :
1pcs
Условия оплаты :
L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :
300000/pcs/week
Срок поставки :
1-3day
Контактный поставщик
видео
Обломок MOSFET IC канала IC n интегральных схема IRFB4115PBF

Shenzhen Zesheng Semiconductor Technology Co., Ltd.

Active Member
3 Годы
shenzhen
С тех пор 2019
Вид деятельности :
Distributor/Wholesaler, Agent
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
800000-1000000
Количество работников :
40~60
Уровень сертификации :
Active Member
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Смотреть связанные видео

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты
MachineU Китайские продукты Свет и освещение Аксессуары для освещения Светодиодный драйвер
Контактный поставщик
Требование о предоставлении