2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства Видео из Китая

May 14, 2025

9 мнения

Описание продукта: 2-дюймовая отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI с С-образной поверхностью, легированная Fe Удельное сопротивление > 106Ом·см РУзнать больше

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

JDCD01-001-021

Сучжоу Китай

Свяжитесь сейчас

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Годы

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

Заменить партию

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида

Просмотр деталей

Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма

Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма

Просмотр деталей

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

Просмотр деталей

625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пла

625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пла

Просмотр деталей

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокоч

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокоч

Просмотр деталей

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты

MachineU Видеоканал Электрооборудование и расходные материалы Промышленные средства управления Другое электрооборудование

Контактный поставщик

Сообщение*

Электронная почта*

Телефон или WhatsApp*

Имя

Компания

Требование о предоставлении

Пожалуйста, ответьте мне в течение 24 часов.

Да, я бы хотел получить подтвержденные поставщики!