Transistor Polarity : :
N-Channel
Product Category : :
MOSFET
Id - Continuous Drain Current : :
35 A
Pd - Power Dissipation : :
133 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage : :
650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage : :
5.7 V
Rds On - Drain-Source Resistance : :
74 mOhms
Number of Channels : :
1 Channel
Factory Pack Quantity : :
30
Vgs - Gate-Source Voltage : :
- 5 V, + 23 V
Qg - Gate Charge : :
28 nC
Manufacturer : :
Infineon Technologies
Description :
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET