MachineU > Китайские продукты
2N7002 интегральные схемаы канала SMD 60V 115MA Mosfet n
2N7002 интегральные схемаы канала SMD 60V 115MA Mosfet n
2N7002 интегральные схемаы канала SMD 60V 115MA Mosfet n
2N7002 интегральные схемаы канала SMD 60V 115MA Mosfet n
Спецификации
Номер модели :
2N7002
Количество минимального заказа :
discussible
Условия оплаты :
L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :
10000 ПК в месяц
Срок поставки :
дни 1-7Work
Упаковывая детали :
первоначальный
Место происхождения :
КИТАЙ
Расклассифицированное напряжение тока :
60,0 v
Расклассифицированное течение :
115 мам
Расклассифицированная сила :
200 mW
полярность :
N-канал
Метод установки :
Поверхностный держатель
Секретный номер :
3
Пакет :
SOT-23-3
Описание

MOSFET N-CH 60V 115MA транзисторов Пол-влияния сигнала интегральных схема 2N7002 небольшой

 

Продукты Описание:

 

2N7002 транзистор, MOSFET, N-канал, 115 мам, 60 v, 1,2 ома, 10 v, 2,1 v

2N7002 транзистор влияния поля режима повышения N-канала произведенный используя высокую плотность клеток и технологию DMOS. Оно уменьшает сопротивление на-государства пока проведение обеспечивать изрезанное, надежное и быстрое переключая. Его можно использовать в большинств применениях требуя до DC 400mA и может поставить пульсированные течения до 2A. Соответствующий для низшего напряжения, низкоточных применений, как небольшие водители ворот MOSFET управлением и силой мотора сервопривода.

Дизайн клетки высокой плотности для весьма - низкого RDS (ДАЛЬШЕ).

Высокая возможность течения сатурации.

Контролируемый напряжением тока небольшой переключатель сигнала.

Изрезанный и надежный

Этот transistorsare произведенное используя Фэйрчайлда собственнический, высокая плотность клеток влияния поля режима повышения N-канала, технология DMOS. Были конструированы эти продукты tominimize представление на-государства промежуток времени сопротивления обеспечивает изрезанное, надежных, и быстрых переключая. Их можно использовать в mostapplications требуя до DC 400mA и могут deliverpulsed течения до 2A. Эти продукты particularlysuited для низшего напряжения, низкоточных применений как управление мотора smallservo, водителей ворот MOSFET силы, и otherswitching применений.

Технологические параметры:

 
Расклассифицированное напряжение тока (DC) 60,0 v
Расклассифицированное течение 115 мам
Расклассифицированная сила 200 mW
секретный номер 3
сопротивление Сток-источника 1,2 Ω
Приполюсный N-канал
Мощность рассеяния 200 mW
Напряжение тока порога 2,1 v
напряжение тока Сток-источника (Vds) 60 v
пробивное напряжение Ворот-источника ±20.0 v

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

2N7002 интегральные схемаы канала SMD 60V 115MA Mosfet n

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
2N7002
Количество минимального заказа :
discussible
Условия оплаты :
L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :
10000 ПК в месяц
Срок поставки :
дни 1-7Work
Упаковывая детали :
первоначальный
Контактный поставщик
2N7002 интегральные схемаы канала SMD 60V 115MA Mosfet n
2N7002 интегральные схемаы канала SMD 60V 115MA Mosfet n

Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 Годы
guangdong, shenzhen
С тех пор 2000
Вид деятельности :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
Основные продукты :
Электронные обломоки IC, Микросхема памяти IC, Обломок IC транзистора
Количество работников :
50~100
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты Обломок IC транзистора
MachineU Китайские продукты
Контактный поставщик
Требование о предоставлении