Спецификации
Номер модели :
ГаН-001
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1шт
Термины компенсации :
L/C, T/T
Способность поставкы :
10pcs/month
Срок поставки :
2-4 Weeks
Упаковывая детали :
одиночный случай вафли в комнате чистки 100 рангов
Материал :
Кристалл ГаН одиночный
промышленность :
Вафля полупроводника, СИД
Применение :
полупроводниковое устройство, вафля ЛД, вафля СИД, детектор исследователя, лазер,
Тип :
тип данный допинг ООН семи
Индивидуальные :
О'КЕЙ
Размер :
подгонянные 2инч или небольшое
Толщина :
330ум
Описание

вафля ГаН нитрида галлия метода 2инч ХВПЭ, свободные стоящие субстраты для ЛД, обломоки ГаН ГаН размера 10кс10мм, вафля ХВПЭ ГаН

О особенности ГаН введите

Растущий спрос для высокоскоростных, высокотемпературных и высоких сил-регулируя возможностей делал

индустрия полупроводника переосмысливает выбор материала используемые как полупроводники. Например,

по мере того как различные более быстрые и более небольшие вычислительные приборы возникают, польза кремния делает ее трудной вытерпеть закон Мооре. Но также в вафле производительности электроники, поэтому полупроводнике ГаН растет вне для потребности.

Должен к своим уникальному пробивному напряжению характеристик (высокое максимальное настоящего, высокой, и высокой переключая частоте), нитрид ГаН галлия уникальный материал выбора для того чтобы разрешить энергитические проблемы будущего. ГаН основало системы имеет более высокий энергетический коэффициент полезного действия, таким образом уменьшающ потери электропитания, переключите на более высокой частоте, таким образом уменьшающ размер и вес.

Технология ГаН использована в многочисленных высокомощных применениях как электропитания промышленных, потребителя и сервера, привод солнечных, АК и инверторы УПС, и гибридные и электрические автомобили. Фуртерморе,

ГаН идеально одето для применений РФ как клетчатые базовые станции, радиолокаторы и кабельное телевидение

инфраструктура в участках сети, воздушно-космического пространства и обороны, спасибо своя высокая пробивная напряженность,

малошумная диаграмма и высокие линеарности.

2" субстраты ГаН
Деталь ГаН-ФС-Н ГаН-ФС-СИ
Размеры ± 1мм Ф 50.8мм
Плотность дефекта Марко Уровень см-2 ≤ 2
Уровень б > 2 см-2
Толщина 330 µм ± 25
Ориентация ± 0.5° К-оси (0001)
Ориентация плоская ± 0.5° (1-100), ± 16,0 1.0мм
Вторичная ориентация плоская ± 3° (11-20), 8,0 ± 1.0мм
ТТВ (полное изменение толщины) µм ≤15
СМЫЧОК µм ≤20
Тип кондукции Н типа Полу-изолировать
Резистивность (300К) < 0=""> >106 Ω·см
Плотность дислокации Чем 5кс106 см-2
Годная к употреблению поверхностная область > 90%
Полировать Лицевая поверхность: Ра < 0="">
Задняя поверхность: Точная земля
Пакет Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночных контейнерах вафли, под атмосферой азота.

Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

Применения

  1. - Различное СИД: белое СИД, фиолетовое СИД, ультрафиолетов СИД, голубое СИД
  2. - Лазерные диоды: фиолетовый ЛД, зеленый ЛД для ультра небольших репроекторов.
  3. - Электронные устройства силы
  4. - Высокочастотные электронные устройства
  5. - Экологическое обнаружение
  6. Использование ■
  7. Субстраты для эпитаксиального роста МОКВД етк.
Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

Спросите последнюю цену
Номер модели :
ГаН-001
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1шт
Термины компенсации :
L/C, T/T
Способность поставкы :
10pcs/month
Срок поставки :
2-4 Weeks
Контактный поставщик
Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона
Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Контактный поставщик
Требование о предоставлении