вафли слоя GaN-НА-Si EPI вафель слоя 4inch 6inch GaN-НА-SiC EPI

Около GaN-на-GaN особенности GaN-на-SIC введите

Вафля GaN эпитаксиальная: Согласно различным субстратам, она главным образом разделена в 4 типа: GaN-на-Si, GaN-на-SiC, GaN-на-сапфир, и GaN-на-GaN.

GaN-на-Si: Настоящий выход продукции индустрии низок, но огромный потенциал для снижения себестоимости: потому что Si самый зрелый, самый свободный от дефект, и самый недорогой материал субстрата; в то же время, Si можно расширить к fabs вафли 8 дюймов, уменьшает цену производства, так, что цена вафли будет только один процент этого из основания SiC; темпы роста Si 200 к 300 раз этому из материала SiC кристаллического, и соответствуя сказочная разница в обесценивания и энергопотребления оборудования в цене, вафли etc. GaN-на-Si эпитаксиальные главным образом использованы в изготовлении электронных устройств силы, и техническая тенденция оптимизировать широкомасштабную технологию эпитаксии.

GaN-на-SiC: Совмещающ превосходную термальную проводимость SiC с плотностью наивысшей мощности и малопотертыми возможностями GaN, соответствующий материал для RF. Ограниченный субстратом SiC, настоящий размер все еще ограничен до 4 дюйма и 6 дюймов, и 8 дюймов не были повышены. Эпитаксиальные вафли GaN-на-SiC главным образом использованы для того чтобы изготовить приборы радиочастоты микроволны.

GaN-на-сапфир: Главным образом использованный в рынке СИД, размер основного направления 4 дюйма, и удельный вес на рынке обломоков СИД GaN на субстратах сапфира достигал больше чем 90%.

GaN-на-GaN: Рынок главной программы GaN используя однородные субстраты голубые/зеленые лазеры, которые использованы в дисплее лазера, хранении лазера, освещении лазера и других полях.

Дизайн и изготовлять прибора GaN: Приборы GaN разделены в приборы радиочастоты и электронные устройства силы. Продукты прибора радиочастоты включают PA, LNA, переключатели, MMICs, etc., которые ориентированы на спутник базовой станции, радиолокатор и другие рынки; продукты электронного устройства силы включают SBD, FET normally-off. , Нормальн-на FET, FET Cascode и других продуктах для беспроводной поручать, переключателя мощности, конверта отслеживая, инвертора, конвертера и других рынков.
Согласно процессу, оно разделено в 2 категории: Процесс радиочастоты HEMT, HBT и SBD, процесс электронного устройства силы PowerFET.

Применения

Спецификации для GaN-на-GaN субстратов для каждой ранга