тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства Видео из Китая

Sep 15, 2024

35849 мнения

Описание продукта: тип субстраты 4inch dia100m 4H-N SiC ранга ранга продукции ФИКТИВНЫЕ, субстраты кремниевого карбида для полупроводникового устройства, Зоны примеУзнать больше

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

4инч--Н, 4Х-семи

Китай

Свяжитесь сейчас

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier

8 Годы

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

4H-SEMI Силиконовый карбид Си-Си субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Прайм-класс фиктивный класс Си-Си вафель

4H-SEMI Силиконовый карбид Си-Си субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Прайм-класс фиктивный класс Си-Си вафель

4H-SEMI Силиконовый карбид Си-Си субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Прайм-класс фиктивный класс Си-Си вафель

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Заменить партию

Объектив sic Undoped прозрачного кремниевого карбида кристаллический оптически с

Объектив sic Undoped прозрачного кремниевого карбида кристаллический оптически с

Просмотр деталей

Вафля кремниевого карбида SIC Кристл

Вафля кремниевого карбида SIC Кристл

Просмотр деталей

ФИКТИВНЫЕ основные субстраты толщины вафли 0.5мм 0.35мм ДСП 4Х-Н/семи сик кремни

ФИКТИВНЫЕ основные субстраты толщины вафли 0.5мм 0.35мм ДСП 4Х-Н/семи сик кремни

Просмотр деталей

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высо

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высо

Просмотр деталей

Sic 3C-N Тип Размер Обработка Проводящий тип для радиолокационных систем MPD Нол

Sic 3C-N Тип Размер Обработка Проводящий тип для радиолокационных систем MPD Нол

Просмотр деталей

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты

MachineU Видеоканал Инструменты и оборудование Сверла Твердосплавные сверла для станков

Контактный поставщик

Сообщение*

Электронная почта*

Телефон или WhatsApp*

Имя

Компания

Требование о предоставлении

Пожалуйста, ответьте мне в течение 24 часов.

Да, я бы хотел получить подтвержденные поставщики!