Спецификации
Номер модели :
IPD082N10N3
Место происхождения :
Оригинал
Количество минимального заказа :
1PCS
Условия оплаты :
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :
57830pcs
Срок поставки :
3
Упаковывая детали :
4000
Запас :
8000+
качество: :
Совершенно новое неиспользованное
Пакет/коробка: :
TO-252
Описание

 

ISO9001.pdf

IPD082N10N3 - N-канальный MOSFET-транзистор.
Применение:
Используется как переключатель высокого напряжения и высокой мощности
Используется в качестве переключателя для преобразователей и регуляторов
Заключение:
Способность к высокому напряжению: Vds=100V
Низкое сопротивление проводимости: Rds (on) = 8,2m Ω (typ.)
Быстрая скорость переключения: td (включено) = 16 нс (обычно), td (выключено) = 60 нс (обычно)
Высокотемпературные характеристики: может работать при температуре до 175 °C
Соответствует директивам RoHS и требованиям, касающимся предотвращения использования свинца
Параметры:
Vds (напряжение источника оттока): 100V
Vgs (напряжение источника шлюза): ± 20V
Id (текущий отвод): 80A
Rds (включенный) (сопротивление проводности): 8,2m Ω (типичный)
Qg (заряд шлюза): 135nC (обычно)
Td (включен) (время задержки запуска): 16 ns (обычно)
Td (выключенный) (время задержки отключения): 60 нс (типичный)
Tj (температура соединения): 175 °C
Соответствует директивам RoHS и требованиям без свинца.

Технические спецификации продукции  
   
RoHS ЕС Соответствует требованиям исключения
ECCN (США) EAR99
Статус части Не подтверждено
SVHC Да, да.
СВХС превышает пороговое значение Да, да.
Автомобильная промышленность Неизвестно
PPAP Неизвестно
Категория продукции Мощность MOSFET
Конфигурация Одинокий
Технологии обработки OptiMOS 3
Режим канала Улучшение
Тип канала N
Количество элементов на чип 1
Максимальное напряжение источника отвода (V) 100
Максимальное напряжение источника входа (V) ¥20
Максимальное пороговое напряжение (V) 3.5
Максимальный непрерывный ток оттока (A) 80
Максимальный ток утечки источника выхода (nA) 100
Максимальный IDSS (uA) 1
Максимальное сопротивление источника оттока (mOhm) 8.2@10В
Типичное зарядное устройство @ Vgs (nC) 42@10В
Типичное заряжение шлюза @ 10В (nC) 42
Типичная емкость ввода @ Vds (pF) 2990@50В
Максимальное рассеивание мощности (мВт) 125000
Типичное время падения (ns) 8
Типичное время повышения (ns) 42
Типичное время задержки отключения (ns) 31
Типичное время задержки включения (ns) 18
Минимальная рабочая температура ( capturC) -55
Максимальная рабочая температура ( capturedC) 175
Опаковка Лента и катушка
Установка Поверхностный монтаж
Высота упаковки 2.41 (макс.)
Ширина пакета 6.22 (макс.)
Длина упаковки 6.73 (макс.)
Изменение ПХБ 2
Вкладка Вкладка
Стандартное название пакета TO-252
Пакет поставщиков DPAK
Количество пин 3
Форма свинца Ореховые
Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

IPD082N10N3 TO-252 Ic интегральная схема N-канал Мосфетовый транзистор

Спросите последнюю цену
Смотрите видео
Номер модели :
IPD082N10N3
Место происхождения :
Оригинал
Количество минимального заказа :
1PCS
Условия оплаты :
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :
57830pcs
Срок поставки :
3
Контактный поставщик
видео
IPD082N10N3 TO-252 Ic интегральная схема N-канал Мосфетовый транзистор

HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED

Verified Supplier
3 Годы
shenzhen
С тех пор 2016
Вид деятельности :
Раздатчик/оптовик
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
6000000-1200000
Количество работников :
100~200
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Контактный поставщик
Требование о предоставлении