Категория :
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс) :
280 А
Состояние продукта :
Активный
Устанавливать тип :
Держатель шасси
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic :
2,1 В при 15 В, 200 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) :
1200 v
Пакет прибора поставщика :
SP6
Mfr :
Технология микросхемы
Рабочая температура :
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс) :
µA 350
Тип IGBT :
Диафрагма поля зрения канавы
Входной сигнал :
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce :
14 нФ при 25 В
Конфигурация :
половинный мост
Низкопробный номер продукта :
АПТГТ200
Описание :
МОДУЛЬ 1200V 280A 890W SP6 IGBT