Категория :
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс) :
84 a
Состояние продукта :
Активный
Устанавливать тип :
Держатель шасси
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic :
3.2V @ 15V, 50A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) :
1200 v
Пакет прибора поставщика :
SOT-227
Mfr :
Технология микросхемы
Рабочая температура :
-55°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс) :
1,1 мА
Входной сигнал :
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce :
5,55 nF @ 25 v
Низкопробный номер продукта :
APT50GR120
Описание :
MOD 1200V 84A 417W SOT227 IGBT