Спецификации
Номер модели :
CY7C1350G-133BGXC
Минимальное количество заказа :
1
Условия оплаты :
T/T
Способность к поставкам :
В наличии
Время доставки :
3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :
антистатический пакет и картонная коробка
Тип памяти :
Испаряющий
Формат памяти :
SRAM
Технологии :
SRAM - Одновременный, SDR
Размер запоминающего устройства :
4.5 Мбит
Организация памяти :
128K x 36
Интерфейс памяти :
Параллельно
Тактовая частота :
133 MHz
Напишите время цикла - слово, страницу :
-
Время выборки :
4 ns
Напряжение - питание :
3.135V | 3.6V
Операционная температура :
0°C ~ 70°C (TA)
Тип установки :
Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан :
119-BGA
Пакет изделий поставщика :
119-PBGA (14х22)
Описание

Подробная информация о продукции

Функциональное описание

CY7C1350G представляет собой 3,3 В, 128 К × 36 синхронно-трубопроводную SRAM, специально разработанную для поддержки неограниченных истинных операций с обратным чтением/записью без вставки состояний ожидания.CY7C1350G оснащен передовой логикой No Bus LatencyTM (NoBLTM), необходимой для обеспечения последовательных операций чтения/записи с передачей данных на каждом цикле часовЭта функция значительно улучшает пропускную способность SRAM, особенно в системах, требующих частых переходов записи/чтения.

Особенности

■ Совместимость и функциональный эквивалент устройств ZBTTM
■ Внутреннее самосчитываемое управление буфером выхода для устранения необходимости использования ОЭ
■ Возможность записи байтов
■ 128 K × 36 общая архитектура В/В
■ 3,3 В питание (VDD)
■ 2,5-В / 3,3-В входное/выходное питание (VDDQ)
■ Быстрое время отсчета до выпуска
2,8 нс (для устройства с частотой 200 МГц)
■ Пин CEN для приостановки работы
■ Синхронное автономирование
■ Асинхронный выход (OE)
■ Доступно в 100-прицепном пакете TQFP без Pb, без Pb и без Pb в 119-кулочном пакете BGA
■ Способность к взрыву ∙ линейный или переплетенный порядок взрывов
■ опция режима спящего режима

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Кипарис полупроводник
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия NoBLTM
Опаковка Поднос
Пакетный чехол 119-BGA
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 3.135 В ~ 3.6 В
Пакет изделий поставщика 119-PBGA (14х22)
Способность памяти 4.5M (128K x 36)
Тип памяти SRAM - синхронная
Скорость 133 МГц
Формат-память ОЗУ

Описания

SRAM - Синхронная память IC 4,5Mb (128K x 36) Параллельно 133MHz 4ns 119-PBGA (14x22)
Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp.

Спросите последнюю цену
Номер модели :
CY7C1350G-133BGXC
Минимальное количество заказа :
1
Условия оплаты :
T/T
Способность к поставкам :
В наличии
Время доставки :
3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :
антистатический пакет и картонная коробка
Контактный поставщик
CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Годы
shenzhen
С тех пор 2005
Вид деятельности :
Раздатчик/Wholesaler, Trading Компания
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
1000000-3000000
Количество работников :
100~150
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Контактный поставщик
Требование о предоставлении