Спецификации
Номер модели :
МТ416М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М
Минимальное количество заказа :
1
Условия оплаты :
T/T
Способность к поставкам :
В наличии
Время доставки :
3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :
антистатический пакет и картонная коробка
Тип памяти :
Испаряющий
Формат памяти :
ДРАХМА
Технологии :
SDRAM - Мобильное LPDDR
Размер запоминающего устройства :
512Mbit
Организация памяти :
16M x 32
Интерфейс памяти :
Параллельно
Тактовая частота :
200 МГц
Напишите время цикла - слово, страницу :
15ns
Время выборки :
5 ns
Напряжение - питание :
1.7V | 1.95V
Операционная температура :
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Тип установки :
Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан :
90-VFBGA
Пакет изделий поставщика :
90-VFBGA (8x13)
Описание

Подробная информация о продукции

Мобильная маломощная DDR SDRAM

Особенности

• VDD/VDDQ = 1,70 ≈ 1,95 Вт
• Двунаправленный данный строб на байт данных (DQS)
• Внутренняя архитектура двойной скорости передачи данных (DDR); два доступа к данным на один часовой цикл
• Дифференциальные часовые входы (CK и CK#)
• Команды, введенные на каждом положительном краю CK
• Край DQS выровнен с данными для READ; центр выровнен с данными для WRITE
• 4 внутренних банка для одновременной работы
• Маски данных (DM) для маскировки записываемых данных; одна маска на байт
• Программируемые длины взрывов (BL): 2, 4, 8 или 16
• Поддерживается возможность автоматической предварительной зарядки
• Автоматическое обновление и режим самообновления
• Входы, совместимые с LVCMOS 1,8 В
• Самообновление с компенсацией температуры (TCSR)
• Частичное самообновление массива (PASR)
• Глубокое отключение питания (DPD)
• Регистр чтения состояния (SRR)
• Выбираемая мощность привода (DS)
• Возможность остановки часов
• 64 мс обновления, 32 мс для автомобильной температуры

Спецификации

АтрибутЗначение атрибута
ПроизводительМикрон Технологии Инк.
Категория продукцииМемориальные микросхемы
Серия-
ОпаковкаАльтернативная упаковка с лентой и катушкой (TR)
Пакетный чехол90-VFBGA
Операционная температура-40 °C ~ 85 °C (TA)
ИнтерфейсПараллельно
Напряжение10,7 В ~ 1,95 В
Пакет изделий поставщика90-VFBGA (8x13)
Способность памяти512M (16M x 32)
Тип памятиМобильная LPDDR SDRAM
Скорость200 МГц
Формат-памятьОЗУ

Описания

SDRAM - Мобильная память LPDDR IC 512Mb (16M x 32) Параллельная 200MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512 Мбит PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

Спросите последнюю цену
Номер модели :
МТ416М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М
Минимальное количество заказа :
1
Условия оплаты :
T/T
Способность к поставкам :
В наличии
Время доставки :
3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :
антистатический пакет и картонная коробка
Контактный поставщик
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512 Мбит PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Годы
shenzhen
С тех пор 2005
Вид деятельности :
Раздатчик/Wholesaler, Trading Компания
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
1000000-3000000
Количество работников :
100~150
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Контактный поставщик
Требование о предоставлении