Спецификации
Номер модели :
MR4A16BYS35
Минимальное количество заказа :
1
Условия оплаты :
T/T
Способность к поставкам :
В наличии
Время доставки :
3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :
антистатический пакет и картонная коробка
Тип памяти :
Слаболетучий
Формат памяти :
ОЗУ
Технологии :
MRAM (магнеторезистивная оперативная память)
Размер запоминающего устройства :
16Mbit
Организация памяти :
1M x 16
Интерфейс памяти :
Параллельно
Тактовая частота :
-
Напишите время цикла - слово, страницу :
35ns
Время выборки :
35 ns
Напряжение - питание :
3V ~ 3,6V
Операционная температура :
0°C ~ 70°C (TA)
Тип установки :
Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан :
54-TSOP (0,400", ширина 10.16mm)
Пакет изделий поставщика :
54-TSOP2
Описание

Подробная информация о продукции

MR3 Сборки отражательных ламп

MR4 Сборки отражательных ламп

MR6 Сборки отражательных ламп

Регулируемые комплекты рефлекторов фокуса

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Эверспин
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия MR4A16B
Опаковка Замена упаковки на подносе
Стиль установки SMD/SMT
Пакетный чехол 54-TSOP (0,400", ширина 10,16 мм)
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 3 В ~ 3,6 В
Пакет изделий поставщика 54-TSOP2
Способность памяти 16M (1M x 16)
Тип памяти MRAM (магнеторезистивная оперативная память)
Скорость 35 нс
Время доступа 35 нс
Формат-память ОЗУ
Максимальная рабочая температура + 70 C
Диапазон температуры работы 0 C
Операционный ток 110 мА
Тип интерфейса Параллельно
Организация 1 М х 16
ширина ширины ширины 16 бит
Максимальное напряжение питания 3.6 В
Напряжение питания-минус 3 В
Пакетный чехол TSOP-54
Функционально совместимый компонентФорма, упаковка, функционально совместимый компонент
Производитель части# Описание Производитель Сравните
MR4A16BYS35R
Память
Схема памяти, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 против MR4A16BYS35R
MR4A16BCYS35R
Память
Схема памяти, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 против MR4A16BCYS35R
MR4A16BMYS35R
Память
Схема памяти, 1MX16, CMOS, PDSO54, ROHS, MS-024, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 против MR4A16BMYS35R
MR4A16BMYS35
Память
Схема памяти, 1MX16, CMOS, PDSO54, ROHS, MS-024, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 против MR4A16BMYS35
MR4A16BCYS35
Память
Схема памяти, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 против MR4A16BCYS35

Описания

MRAM (магнеторезистивная оперативная память) Память IC 16Mb (1M x 16) Параллельная 35ns 54-TSOP2
MRAM 16Mbit Параллельный 3,3-В 54-Pin TSOP Tray
NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Параллельная MRAM
Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

MR4A16BYS35 IC RAM 16 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.

Спросите последнюю цену
Номер модели :
MR4A16BYS35
Минимальное количество заказа :
1
Условия оплаты :
T/T
Способность к поставкам :
В наличии
Время доставки :
3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :
антистатический пакет и картонная коробка
Контактный поставщик
MR4A16BYS35 IC RAM 16 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Годы
shenzhen
С тех пор 2005
Вид деятельности :
Раздатчик/Wholesaler, Trading Компания
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
1000000-3000000
Количество работников :
100~150
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Контактный поставщик
Требование о предоставлении