IRFM250 Мощность MOSFET

Мосфеты для мощности через отверстие (TO-254AA)

Резюме продукта Номер детали RDS ((on) ID IRFM250 0,100 Ω 27.4A

IRFM250 JANTX2N7225 JANTXV2N7225 REF:MIL-PRF-19500/592 200V, N-CHANNEL HEXFET® MOSFET TECHNOLOGY

Введение продукта

IRFM250 представляет собой высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для различных применений, включая источники питания, управление двигателями и коммутационные схемы.Этот MOSFET предлагает исключительную производительность и эффективность с его низким сопротивлением и высокой способностью обработки тока.

Характеристики продукта

• Способность обрабатывать высокую мощность
• Низкое сопротивление
• Скорость переключения
• Отличная тепловая производительность
• Улучшенная прочность и надежность
• 

• Производитель:	Инфинион
  Категория продукции:	MOSFET
  Технология:	Да, да.
  Стиль установки:	Через дыру
  Пакет / чемодан:	TO-254-3
  Полярность транзистора:	N-канал
  Количество каналов:	1 канал
  Vds - напряжение отключения источника отвода:	200 В
  Id - непрерывный отводный ток:	27.4 А
  Rds On - сопротивление источника оттока:	105 мОмм
  Vgs - напряжение порта-источника:	- 20 В, + 20 В
  Минимальная рабочая температура:	- 55 C.
  Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
  Pd - рассеивание энергии:	150 Вт
  Режим канала:	Улучшение
  Марка:	Infineon / IR
  Конфигурация:	Одинокий
  Время падения:	130 нс
  Высота:	130,84 мм
  Длина:	130,84 мм
  Тип продукции:	MOSFET
  Время подъема:	190 нс
  Подкатегория:	MOSFET
  Тип транзистора:	1 N-канал
  Типичное время отключения:	170 нс
  Типичное время задержки включения:	35 нс
  Ширина:	6.6 мм
  Единичная масса:	0.011993 унций

•  

Применение продукции

IRFM250 Power MOSFET подходит для следующих применений:

• Силовые источники
• Управление двигателем
• Переключающие схемы
• Светодиодное освещение
• Усилители аудио
• Конверторы постоянного тока

Лист данных о продукте

В таблице ниже приведены основные спецификации IRFM250 Power MOSFET:

 
Руководство по торговле