Лист молибдена для полупроводника
1. Описание листа молибдена для полупроводника:
Особая чистота, высокая плотность, штраф, и равномерные характеристики зерна присутствуют в молибдене брызгая цели, приводящ в весьма высокой эффективности брызгать, равномерной толщине фильма, и ровной вытравляя поверхности во время процесса брызгать.
Лист молибдена для полупроводников имеет превосходные механические свойства, низкое расширение, высокую термальную проводимость, и весьма высокую электрическую проводимость в условиях высоких температур. Это тугоплавкий металл с разнообразие пользами.
Молибден много различного сочетаний из который можно использовать как цель брызгать, включая чистые молибден, титан молибдена, тантал молибдена, и цели сплава молибдена. Особая чистота, высокая плотность, штраф, и последовательные свойства зерна присутствуют в молибдене брызгая цели, приводящ в весьма высокой эффективности брызгать, однородной толщине фильма, и чистой вытравляя поверхности в течении процесса брызгать. Лист молибдена сделанный к спецификациям клиента для полупроводников.
2. параметр листа молибдена для полупроводника:
| Имя | Лист молибдена для полупроводника |
| Молекулярный вес | 95,94 |
| Возникновение | Серебристый |
| Точка плавления | °C 2623 |
| Температура кипения | °C 4639 |
| Плотность | 10280 kg/m3 |
| Растворимость в H2O | N/A |
| Электрическая резистивность | 5,2 микром-см @ 0 °C |
| Electronegativity | 1,9 Paulings |
| Жара сплавливания | 6,6 моль Cal/gm |
| Жара испарения | Атом 128 K-Cal/gm на °C 4612 |
| Коэффициент Poisson | 0,31 |
| Специфическая жара | 0,0599 °C 25 Cal/g/K @ |
| Прочность на растяжение | N/A |
| Термальная проводимость | 1,38 W/cm/K @ 298,2 k |
| Тепловое расширение | (°C 25) µm 4,8·m-1·K-1 |
| Твердость Vickers | MPa 1530 |
| Young модуль | 329 GPa |
3. Продукты показывают листа молибдена для полупроводника:


Вы хотите знать больше о наших продуктах?
