Силиконовый карбид металлический оксид полупроводниковый транзистор с эффектом поля (SiC MOSFET) - это передовой тип силового устройства с высокой эффективностью и отличной производительностью.SiC MOSFET имеют низкое сопротивление и высокую мощностьНа основе национальной военной стандартной производственной линии, процесс стабилен, а качество надежно.Использование SiC MOSFET может значительно уменьшить потери переключения и увеличить плотность питания, обеспечивая высокую эффективность при низких температурах работы. Благодаря отличной тепловой устойчивости, SiC MOSFET идеально подходят для очень требовательных приложений,такие как преобразование мощности и переключение высокой мощности.
Параметр | Стоимость |
---|---|
Материал | Силиконовый карбид |
Наименование продукта | Силиконокарбидный МОСФЕТ |
Сопротивление | Низкое сопротивление |
Тип | N тип |
Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, драйвер двигателя, подача электроэнергии UPS, переключатель питания, зарядная куча и т.д. |
Тип устройства | MOSFET |
Сила | Высокая власть |
Частота | Высокая частота |
Эффективность | Высокая эффективность |
Преимущества | На основе национальной военной стандартной производственной линии, процесс стабилен и качество надежно |
Транзистор с эффектом SiC | Да, да. |
Транзистор с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника | Да, да. |
Транзистор с эффектом поля полупроводникового металлического оксида | Да, да. |
REASUNOS Кремниевый карбидный MOSFET - это тип транзистора с эффектом поля (FET), основанный на полупроводнике металлического оксида кремниевого карбида (SiC).Он обеспечивает низкое сопротивление и высокую частоту для таких приложений, как солнечный инвертор, высоковольтные преобразователи постоянного тока/ постоянного тока, драйвер двигателя, источник питания UPS, переключающее питание, зарядное устройство и другие высокомощные системы.и антистатическая трубчатая упаковкаМинимальное количество заказов составляет 600, а цена подлежит обсуждению в зависимости от продукта.Возможность поставки составляет 5KK/месяц, а срок доставки обычно составляет 2-30 дней в зависимости от общего количества. Условия оплаты 100% T / T вперед ((EXW).
Наша команда опытных инженеров может предоставить поддержку по следующим темам:
Мы также предлагаем широкий спектр учебных курсов, чтобы убедиться, что вы и ваша команда хорошо разбираетесь в использовании технологии MOSFET из карбида кремния.
Если у вас есть вопросы или вам нужна помощь, пожалуйста, свяжитесь с нами в любое время. Наша команда всегда готова помочь.
Силиконовый карбид MOSFET упаковка и перевозка:
Силиконовый карбид MOSFET будет упакован в соответствующую коробку или контейнер, чтобы обеспечить его безопасное прибытие.Коробка или контейнер будут маркироваться с наименованием продукта и штрих-кодом для легкой идентификации и отслеживанияПосылка будет обработана надежным поставщиком и отслеживаться через их систему отслеживания.
Вопрос 1: Какое торговое название для КАРБИДОВОГО КАРБИДОВОГО МОСФЕТА?
Ответ: Торговое наименование КАРБИДОГРУБНОГО МОСФЕТА - REASUNOS.
Вопрос 2: Где находится место происхождения КАРБИДОВОГО КРЕМЕННОГО МОСФЕТА?
A2: Место происхождения карбидного кремниевого MOSFET - Гуандун, Китай.
Q3: Каково минимальное количество заказов для КАРБИДОВОГО КРЕДИМНОГО МОСФЕТА?
Ответ 3: Минимальное количество заказов для КАРБИДОВОГО МОСФЕТА составляет 600.
Q4: Какова детальная упаковка для КАРБИДОВОГО КАРБИДОВОГО МОСФЕТА?
A4: Подробности упаковки для КАРБИДОвого КРЕМЕНТА КАРБИДА MOSFET является пылестойкой, водостойкой и антистатической трубчатой упаковкой, помещенной внутри картонной коробки в картонные коробки.
Q5: Каково время доставки для КАРБИДОВОГО КРУЗОФЕТА?
Ответ: Время доставки для КАРБИДОВОГО КРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУЗОКРУ