Память (РАМ)

1 ГБ

Вспышка

МБ 512 в итоге. Для просмотра доступного размера флэш-памяти, побегите команда версии дисплея.

Среднее время между отказами (MTBF)

22,7 лет

2 часа

Наличие

> 0,99999

Обслуживайте защиту от перенапряжения порта

Единый режим: ±7 кВ

Защита от перенапряжения электропитания

• Используя АК 580 в или модули 1000 мощьности импульса в: ±6 кВ в дифференциальном режиме, ±6 кВ в едином режиме
• Используя 650 модулей силы ДК в: ±2 кВ в дифференциальном режиме, ±4 кВ в едином режиме

Размеры (Х кс В кс д)

44,4 мм кс 442,0 мм кс 420,0 мм (1,75 внутри. кс 17,4 внутри. кс 16,5 внутри.)

Вес (включая пакет)

Порты стога

РТК

Поддержанный

РПС

Не поддержанный

ПоЭ

Поддержанный

Расклассифицированный ряд напряжения тока

АК 100 в к АК 240 в, 50/60 Хз

-48 ДК в к ДК -60 в

Максимальный ряд напряжения тока

АК 90 в к АК 264 в, 47 Хз к 63 Хз

-38,4 ДК в к ДК -72 в

Максимальный расход энергии (объем 100%, высшая скорость вентиляторов)

• Используя ДК 650 в или 580 модулей мощьности импульса в:
  • Не обеспечивать функцию ПоЭ: 125,6 в (без карты)
  • Нагрузки 100% ПоЭ: 1017,2 в (расход энергии системы: 278 в, ПоЭ: 739,2 в, без карты)
• Используя модули 1000 мощьности импульса в:
  • Не обеспечивать функцию ПоЭ: 125,6 в (без карты)
  • Нагрузки 100% ПоЭ: В 1735 (расход энергии системы: 295 в, ПоЭ: В 1440)

Типичный расход энергии (30% из интенсивности сообщений, испытанный согласно стандарту АТИС)

• Используя ДК 650 в или 580 модулей мощьности импульса в: 106,9 в (без карты и ПоЭ)
• Используя модули 1000 мощьности импульса в: 121,6 в (без карты и ПоЭ)

Рабочая температура

0°К к 45°К (32°Ф к 113°Ф) на высоте 0-1800 м (0-5906 ФТ)

Недолгосрочная рабочая температура

-5°К к +50°К (23°Ф к 122°Ф) на высоте 0-1800 м (0-5906 ФТ)

Температура хранения

-40°К к +70°К (- 40°Ф к +158°Ф)

Шум под нормальной температурой (27°К, ядровой силой)

< 62="">

Относительная влажность

5% до 95%, нонконденсинг

Высота Оператинг

Аттестация

• Аттестация ЭМК
• Сертификация безопасности
• Аттестация производства