Описание продукта:
Ультрафиолетовый фотодиодный датчик для фотокаталитического мониторинга
Особенности:
Общие характеристики: l Материал на основе нитрида галлия и индия l Работа в фотоэлектрическом режиме l Металлический корпус TO-46 l Высокая чувствительность и низкий темный ток Применения: УФ-диодный мониторинг,Измерение дозы УФ-излученияСпецификации ультрафиолетового отверждения: Parameters Symbol Value Unit Maximum ratings Operation temperature range Topt -25-85 oC Storage temperature range Tsto -40-85 oC Soldering temperature (3 s) Tsol 260 oC Reverse voltage Vr-max -10 V General characteristics (25 oC) Chip size A 1 mm2 Dark current (Vr = -5 V) Id
< 1 nA Температурный коэффициент Tc 0,05 %/ oC Конденсация (при 0 V и 1 MHz) Cp 60 pF >
Спецификации:
Длина волны пиковой реактивности | λ p 375 нм |
Пиковая отзывчивость (при 385 нм) | Rmax 0,243 A/W |
Диапазон спектрального ответа (R=0,1×Rmax) | 200-400 нм |
Соотношение ультрафиолетового отторжения (Rmax/R450 nm) | - > 104 - |