MachineU > Китайские продукты > Химикаты > Неорганические химикаты > Окись
Эффективность наклона ГаН ЗнО Хетероепитаксы кристаллов субстрата СкАлМгО4 высокая
Эффективность наклона ГаН ЗнО Хетероепитаксы кристаллов субстрата СкАлМгО4 высокая
Эффективность наклона ГаН ЗнО Хетероепитаксы кристаллов субстрата СкАлМгО4 высокая
Эффективность наклона ГаН ЗнО Хетероепитаксы кристаллов субстрата СкАлМгО4 высокая
Спецификации
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1 шт
Упаковывая детали :
коробка
Срок поставки :
3-4 недели
Термины компенсации :
TT
Способность поставкы :
100 частей /month
Номер модели :
КРИЛИНК-СкАлМгО4 Кристл
Имя :
Субстраты ScAlMgO4 Кристл
Ориентация :
[0001] или [10-10] < ±0.5°
Допуск толщины/диаметра :
±0.05 мм
Максимальные размеры :
dia 50×100mm
Описание
Описание

(MgScAlO4SCAM) кристалл ScAlMgO4 вид GaN и ZnO heteroepitaxy недавно превратилось с идеальным материалом субстрата, в настоящее время оно соответствует GaN и ZnO наиболее хорошо в новых кристаллах субстрата materials.ScAlMgO4 шестиугольная система, которой константа решетки = 0,3246 nm, c = 2,5195 nm, со структурой rhombohedron наслоенной, подобной нитридам вуртцита и структуре кристалла цинка oxide.ScAlMgO4 вид идеального материала субстрата для эпитаксии GaN и ZnO, которая рассогласование решетки theminimum с GaN и ZnO.

 

Особенности

  • Самая лучшая спичка решетки с GaN и ZnO
  • ВЫСОКОЕ transmisson после полировать
  • Высокая эффективность наклона

Применения

  • Субстрат ScAlMg2O4

Основная спецификация

Материалы

ScMgAlO4

Ориентация

[0001] или [10-10] <>

Параллельный

10

Перпендикуляр

5

качество поверхности

10/5

Искажение Wavefront

/4 @632nm

Поверхностная плоскостность

/8 @632nm

Ясная апертура

>95%

Скосите

<0>

Допуск толщины/диаметра

±0.05 mm

Максимальные размеры

dia 50×100mm

Покрытия

AR/AR@940+1030HR @ 1030+HT@940+AR1030

 

Материальные характеристики

Медицинский осмотр и chemicalcharacteristics

Свойства

ScMgAlO4

Кристаллическая структура

шестиугольная кристаллографическая система

Решетка постоянн

a = 0.3246nm, c=2.5195nm

Плотность

3,64 g/cm3

Твердость Mohs

4-5 Mohs

Коэффициент теплового расширения

A=7.4510-6/℃

 

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Эффективность наклона ГаН ЗнО Хетероепитаксы кристаллов субстрата СкАлМгО4 высокая

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1 шт
Упаковывая детали :
коробка
Срок поставки :
3-4 недели
Термины компенсации :
TT
Способность поставкы :
100 частей /month
Контактный поставщик
Эффективность наклона ГаН ЗнО Хетероепитаксы кристаллов субстрата СкАлМгО4 высокая
Эффективность наклона ГаН ЗнО Хетероепитаксы кристаллов субстрата СкАлМгО4 высокая

Nanjing Crylink Photonics Co.,Ltd

Active Member
6 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2014
Вид деятельности :
Изготовление
Основные продукты :
Кристаллы лазера, Нелинейные кристаллы, К переключает кристаллы
Количество работников :
90~100
Уровень сертификации :
Active Member
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты Кристаллы субстрата
MachineU Китайские продукты Химикаты Неорганические химикаты Окись
Контактный поставщик
Требование о предоставлении