Спецификации
Номер модели :
Вафля LNOI
Место происхождения :
КИТАЙ
Количество минимального заказа :
25 шт.
Условия оплаты :
T/T
Способность поставки :
1000 ПК/месяц
Срок поставки :
1-4 недель
Упаковывая детали :
Пакет опарника кассеты, вакуум загерметизировал
Продукт :
Piezo на изоляции
Диаметр :
4 дюйма, 6 дюймов
Верхний слой :
ниобат лития
Верхняя толщина :
300~600nm
Облучение солнцем :
Термальная окись SiO2
Толщина облучения солнцем :
2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm
Субстрат :
кремний
Применение :
Оптически волноводы и Microwaveguides
Описание

Включать высокоскоростную модуляцию и широкую ширину полосы частот с LNOI POI

 

Piezo на изоляции (POI) ссылает на технологию где пьезоэлектрические материалы интегрированы на изолируя субстрат. Это учитывает использование пьезоэлектрического влияния пока предусматривающ электрическую изоляцию. Технология POI включают развитие различных приборов и системы которая обуздывают уникальные свойства пьезоэлектрических материалов для воспринимать, возбуждения, и энергии жать применения.

 

Технология POI (Piezo на изоляции) находит различные применения в различных полях должных к своей способности совместить преимущества пьезоэлектрических материалов с электрической изоляцией. Как датчики, Microelectromechanical системы и накопление энергии и поколение.

 

Многосторонность интегрировать пьезоэлектрические материалы на изолируя субстрат открытый вверх по возможностям для новаторских решений в разнообразных полях, включая электронику, энергия, здравоохранение, и больше.

 

 

Вафля LNOI
Структура LN/SiO2/Si LTV/PLTV < 1="">) mm2 5/95%
Диаметр ± Φ100 0,2 mm Край Exclution 5 mm
Толщина 500 μm ± 20 Смычок Внутри μm 50
Основная плоская длина ± 47,5 2 mm
± 57,5 2 mm
Утеска края ± 2 0,5 mm
Скашивать вафли R типа Экологический Rohs 2,0
Верхний слой LN
Средняя толщина 400/600±10 nm Единообразие < 40nm="">
Индекс рефракции отсутствие > 2,2800, ne < 2=""> Ориентация ± 0.3° оси x
Ранг Оптически Поверхностный Ра < 0="">
Дефекты >1mm никакие;
1mmне позднее300итогов
Деламинация Никакие
Царапина >1cm никакие;
1cmне позднее3
Основная квартира Перпендикуляр к + ± 1° Y-osи
Изоляция SiO2 слоя
Средняя толщина 2000nm ± 100nm ± 50nm 4700nm ± 15nm 3000nm Единообразие <>
Сказочный. Метод Термальная окись Индекс рефракции 1.45-1.47 @ 633 nm
Субстрат
Материал Si Ориентация <100> ± 1°
Основная плоская ориентация <110> ± 1° Резистивность > kΩ 10·см
Загрязнение задней стороны Отсутствие видимого пятна Задняя сторона Вытравите

 

 

Вафля высокоскоростной модуляции и широкой ширины полосы частот пьезоэлектрическая с LNOI POIВафля высокоскоростной модуляции и широкой ширины полосы частот пьезоэлектрическая с LNOI POI

 


 

Вафля высокоскоростной модуляции и широкой ширины полосы частот пьезоэлектрическая с LNOI POI

 

Вафля высокоскоростной модуляции и широкой ширины полосы частот пьезоэлектрическая с LNOI POI

 

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Вафля высокоскоростной модуляции и широкой ширины полосы частот пьезоэлектрическая с LNOI POI

Спросите последнюю цену
Смотрите видео
Номер модели :
Вафля LNOI
Место происхождения :
КИТАЙ
Количество минимального заказа :
25 шт.
Условия оплаты :
T/T
Способность поставки :
1000 ПК/месяц
Срок поставки :
1-4 недель
Контактный поставщик
видео
Вафля высокоскоростной модуляции и широкой ширины полосы частот пьезоэлектрическая с LNOI POI

Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Годы
shanghai, hangzhou
С тех пор 1999
Вид деятельности :
Manufacturer, Trading Компания
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
800M-1500M
Количество работников :
10~99
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Контактный поставщик
Требование о предоставлении