MachineU > Китайские продукты > Бытовая техника > Основные кухонные приборы > Варочные панели > Керамические варочные панели
Субстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводника
Субстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводника
Субстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводника
Субстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводника
Спецификации
Номер модели :
Сапфир (Al2O3)
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
5 частей
Условия оплаты :
T/T
Способность поставки :
10000 частей/месяц
Срок поставки :
1-4 недель
Упаковывая детали :
Кассета, опарник, пакет фильмов
Материал :
Сапфир (Al2O3)
Тип :
Одиночное Кристл Al2O3
Цвет :
Белый
Поверхность :
Двойной бортовой блеск, одиночный бортовой блеск
Особенность :
Высокопрочная, высокая твердость, высокая износостойкость
Применение :
Вафля Semicondutor, обломок приведенный, оптически стеклянное окно, электронная керамика
Индустрия :
Стекло приведенное, оптически, eli-готовая вафля
Описание

Гладкость c плоская высокая и высокий субстрат сапфира чистоты для полупроводника

 

Вафли сапфира главным образом соответствующие для научных исследований и разработки новых полупроводниковых устройств, предлагая высокие спецификации как высокая гладкость и высокая чистота в дополнение к традиционным стандартным сортам субстрата сапфира.

 

Основные особенности

• Высокопрочная, высокая твердость, высокая износостойкость (твердость во-вторых только к диаманту)

• Высокая пропускаемость (светлая пропускаемость в ультрафиолетовом луче к ультракрасному ряду)

• Высокая коррозионная устойчивость (высокая устойчивость к кислоте, алкалиу, плазме)

• Высокая изоляция (изолятор, не легкий для того чтобы проводить электричество)

• Тепловая проводимость сопротивления высокой жары (точки плавления 2050℃) (40 раз стекла)

 

Спецификация

• Нормальный размер (φ2 «, 3", 4", 6", 8", 12 "), другие особенный размер, угловая форма и другие формы могут соответствовать.

• Смогите соответствовать разнообразие плоской ориентации: c-самолет, r-самолет, m-самолет, -самолет

• Двухсторонний молоть, одно-встал на сторону мелющ

• Ориентированный на заказчика пробивать

 

Субстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводникаСубстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводникаСубстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводника

 

Материалы Кристл 99 996% из Al2O3, особая чистота, Monocrystalline, Al2O3  
Качество Кристл Включения, метки блока, близнецы, цвет, микро-пузыри и центры разгона несуществующий  
Диаметр 2inch 3inch 4inch 5inch | 7inch  
50.8± 0.1mm 76.2±0.2mm 100±0.3mm В соответствии с обеспечениями стандартной продукции  
 
Толщина 430±15µm 550±15µm 650±20µm Смогите быть подгоняно клиентом  
Ориентация C- самолет (0001) к M-самолету (1-100) или -самолету (1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3 ±0.1°, R-самолет (1-1 0 2), -самолет (1 1-2 0), M-самолет (1-1 0 0), любая ориентация, любой угол  
Основная плоская длина 16.0±1mm 22.0±1.0mm 32.5±1.5 mm В соответствии с обеспечениями стандартной продукции  
Основная плоская ориентация ± 0.2° -самолета (1 1-2 0)  
TTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
LTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
TIR ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
СМЫЧОК ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
Искривление ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm  
Лицевая поверхность Epi-отполированный (Ра< 0="">  
Задняя поверхность Точная Epi-отполированная земля (Ra=0.5 к µm 1,2), (Ра< 0="">  
Примечание Смогите обеспечить высококачественную вафлю субстрата сапфира согласно требованию к клиентов специфическому  

 

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Плотность 3,97 g/cm3
Точка плавления 2040 градусов c
Термальная проводимость 27,21 с (m x k) на 300 k
Тепловое расширение 5,6 x 10 -6 /K (параллельная C-ось) & 5,0 (перпендикулярных C-ось) x 10 -6 /K
Твердость Knoop 2000 kg/mm 2 с индентером 2000g
Специфическая теплоемкость 419 J/(kg x k)
Диэлектрическая константа 11,5 (параллельная C-ось) 9,4 (перпендикулярная C-ось) на 1MHz
Young модуль (e) 335 GPa
Модуль ножниц (g) 148,1 GPa
Модуль основной массы (k) 240 GPa
Эластичные коэффициенты C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148
Явный предел упругости MPa 275 (40 000 psi)
Коэффициент Poisson 0,25

 

Субстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводника

 

Проверка принятия

Субстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводника

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Субстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводника

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
Сапфир (Al2O3)
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
5 частей
Условия оплаты :
T/T
Способность поставки :
10000 частей/месяц
Срок поставки :
1-4 недель
Контактный поставщик
Субстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводника
Субстрат сапфира гладкости и чистоты c плоский высокий для полупроводника

Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Годы
shanghai, hangzhou
С тех пор 1999
Вид деятельности :
Manufacturer, Trading Компания
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
800M-1500M
Количество работников :
10~99
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Смотреть связанные видео

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты
MachineU Китайские продукты Бытовая техника Основные кухонные приборы Варочные панели Керамические варочные панели
Контактный поставщик
Требование о предоставлении