Категория :
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :
600 А
Статус продукта :
Выпущен в Digi-Key
Тип установки :
Подвеска на шасси
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :
3В при 15В, 600А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :
1200 В
Пакет изделий поставщика :
Модуль
Операционная температура :
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.) :
1 мА
Вводная емкость (Cies) @ Vce :
105 nF @ 10 v
Описание :
MOD 1200V 600A 3670W IGBT