Категория :
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :
200 А
Статус продукта :
Активный
Тип установки :
Подвеска на шасси
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :
1.9В @ 15В, 150А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :
600 В
Пакет изделий поставщика :
SP6
Мфр :
Технология микрочипов
Операционная температура :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.) :
250 μA
Тип IGBT :
Остановка в окопах
Вводная емкость (Cies) @ Vce :
9,2 нФ при 25 В
Конфигурация :
Трехуровневый инвертор
Номер базовой продукции :
АПТГТ150
Описание :
МОДУЛЬ 600V 200A 480W SP6 IGBT