Категория :
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :
75 a
Статус продукта :
Активный
Тип установки :
Подвеска на шасси
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 50A
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :
1200 В
Пакет изделий поставщика :
SP3
Мфр :
Технология микрочипов
Операционная температура :
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.) :
250 μA
Тип IGBT :
Остановка в окопах
Вводная емкость (Cies) @ Vce :
3,6 нФ при 25 В
Конфигурация :
Полный инвертор моста
Номер базовой продукции :
АПТГТ50
Описание :
БТИЗ МОДУЛЬ 1200В 75А 270Вт SP3