MachineU > Китайские продукты > Инструменты и оборудование > Абразивы > Абразивы
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS
Спецификации
Номер модели :
вафли 4h-n 8inch sic
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1pcs
Условия оплаты :
T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :
1-20pcs/month
Срок поставки :
3-6 месяцев
Упаковывая детали :
одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Материал :
монокристалл SiC
Ранг :
Ранг продукции
Дата доставки :
3 месяца
Применение :
MOS теста создателя прибора полируя
Диаметр :
200±0.5mm
MOQ :
1
Описание

Вафли вафель 200mm SiC вафли 4H-N SIC ingots/200mm SiC SiC кремниевого карбида изготовителя вафли вафли sic кремниевой пластины CorrosionSingle субстрата SiC/кремниевого карбида вафель (150mm, 200mm) керамической превосходной кристаллической одиночной отполированные стороной полируя

 

Около кремниевый карбид (SiC) Кристл

 

Кремниевый карбид (SiC), или карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой SiC. SiC использован в приборах электроники полупроводника работая в условиях высоких температур, высоких напряжениях тока, или обоих. SiC также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы и подачи GaN как распространитель жары в высокомощном СИД.

 
Свойство 4H-SiC, одиночное Кристл 6H-SiC, одиночное Кристл
Параметры решетки a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Штабелировать последовательность ABCB ABCACB
Твердость Mohs ≈9.2 ≈9.2
Плотность 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Коэффициент расширения 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Индекс @750nm рефракции

отсутствие = 2,61

ne = 2,66

отсутствие = 2,60

ne = 2,65
Диэлектрическая константа c~9.66 c~9.66
ohm.cm термальной проводимости (N типа, 0,02)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

  
Термальная проводимость (Полу-изолировать)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K
Диапазон-зазор eV 3,23 eV 3,02
Поле нервного расстройства электрическое 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Дрейфовая скорость сатурации 2.0×105m/s 2.0×105m/s


Преодолевают эти проблемы и получают высококачественные вафли 200mm SiC, решения предложены, что:
По отоношению к подготовке кристалла семени 200mm, соотвествующему температурному полю, полу течения, и расширяя assemblwere изученному и конструированному для того чтобы учесть кристаллическое качество и расширяя размер; Начинающ с кристаллом 150mm SiCseed, унесите итерирование кристалла семени постепенно для того чтобы расширить размер SiC кристаллический до тех пор пока он не будет достигать 200mm; Выращивание кристаллов Throuch множественное и обработка, постепенно оптимизируют кристаллическое качество в кристаллическом expandingarea, и улучшают качество кристаллов семени 200mm.
условия n подготовки crvstal 200mm проводной и субстрата. исследование оптимизировало дизайн пола течения fieland температуры для крупноразмерного выращивания кристаллов, проводит выращивание кристаллов 200mm проводное SiC, и controldoping единообразие. После грубых обработки и формировать кристалла, 8 дюймов электрически проводное 4H-SiCingot со стандартным диаметром был получен. После резать, мелющ, полировать, обрабатывая для того чтобы получить SiC 200mmwafers с толщиной 525um или так.

 
 

ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOSранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOSранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS

 

Применение SiC

Сбор к свойствам SiC физическим и электронным, приборам кремния основанным на Карбид хорошо соответствующий для коротких электронных устройств длины волны электронно-оптических, высокотемпературных, радиационностойких, и высокомощных/высокочастотных, сравненных с Si и GaAs основанным на прибором.

Электронно-оптические приборы

  • SiC основанные на приборы

  • низкие эпитаксиальные слои падени-нитрида рассогласования решетки

  • высокая термальная проводимость

  • контролировать процессов сгорания

  • все виды Ультрафиолетовый-обнаружения

  • Должный к свойствам материала SiC, SiC основанной на электронике и приборам смогите работать в очень враждебных окружающих средах, которые могут работать под высокими температурами, наивысшей мощностью, и высокими условиями радиации

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
вафли 4h-n 8inch sic
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1pcs
Условия оплаты :
T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :
1-20pcs/month
Срок поставки :
3-6 месяцев
Контактный поставщик
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS
ранг продукции обломока SiC субстрата слитка кремниевого карбида 8inch 200mm полируя для MOS

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
субстрат сапфира, Сапфир оптически Виндовс, Вафля кремниевого карбида
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты Вафля кремниевого карбида
MachineU Китайские продукты Инструменты и оборудование Абразивы Абразивы
Контактный поставщик
Требование о предоставлении