ТИП субстрат S+/данное допинг вафлями Zn+ /Fe + фосфид вафель 3inch 4inch N/P InP 2inch полупроводника InP индия основал субстрат полупроводника эпитаксиального манекена вафли InP Кристл дюйма 350-650 вафли 2 inch/3 inch/4 InP вафель фосфида индия одиночного Кристл вафли um основной
|
размер (mm)
|
Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm можно подгонять
|
|
Ра
|
Шероховатость поверхности (Ра):<>
|
|
Польский
|
Одиночный или двойник встаньте на сторону отполированный
|
|
Пакет
|
100 одиночное или двойники встают на сторону отполированный
|
Оно имеет преимущества высокой электронной скорости смещения предела, хорошего сопротивления радиации, и хорошей кондукции жары. Соответствующий для
приборы изготовлять высокочастотные, высокоскоростные, высокомощные микроволны и интегральные схемаы.
|
Диаметр вафли (mm)
|
50.8±0.3
|
76.2±0.3
|
100±0.3
|
|
Толщина (um)
|
350±25
|
625±25
|
625±25
|
|
TTV-P/P (um)
|
≤10
|
≤10
|
≤10
|
|
TTv-P/E (um)
|
≤10
|
≤15
|
≤15
|
|
СНУЙТЕ (um)
|
≤15
|
≤15
|
≤15
|
|
(mm)
|
17±1
|
22±1
|
32.5±1
|
|
OF/IF (mm)
|
7±1
|
12±1
|
18±11
|
| Описание | Применение | Диапазон длины волны |
| InP основал Epi-вафлю | Лазер FP | ~1310nm; ~1550nm; ~1900nm |
| Лазер DFB | 1270nm~1630nm | |
| Фотодетектор лавины | 1250nm~1600nm | |
| Фотодетектор | 1250nm~1600nm/>2.0um (слой InGaAs абсорбтивный);<1> |
| Название продукта |
| Лист субстрата фосфида индия особой чистоты поликристаллический |
| Данный допинг утюгом фосфид индия Кристл |
| N типа и P типа фосфид индия Кристл |
| Слиток одиночного Кристл фосфида индия 4 дюймов |
| Фосфид индия основал эпитаксиальную вафлю |
| Субстрат Кристл полупроводника фосфида индия |
| Субстрат одиночного Кристл фосфида индия |
| Субстрат одиночного Кристл антимонида индия |
| Субстрат одиночного Кристл мышьяка индия |


---вопросы и ответы –
: Вообще 5-10 дней если товары в запасе. или 15-20 дней если товары нет
в запасе, оно согласно количеству.