Применение SiC

Кристалл SiC важный широкий-bandgap материал полупроводника. Из-за своей высокой термальной проводимости, высокий тариф дрейфа электронов, высокая прочность поля нервного расстройства и стабилизированные медицинский осмотр и химические свойства, он широко использован в высокой температуре, в электронных устройствах частоты коротковолнового диапазона и наивысшей мощности. Больше чем 200 типов кристаллов SiC которые были открыты до сих пор. Среди их, кристаллы 4H- и 6H-SiC коммерчески были поставлены. Они все принадлежат группе пункта 6mm и иметь второстепенное нелинейное оптически влияние. Полу-изолируя кристаллы SiC видимы и средни. Ультракрасный диапазон имеет более высокую пропускаемость. Поэтому, электронно-оптические приборы основанные на кристаллах SiC очень соответствующие для применений в весьма окружающих средах как высокая температура и высокое давление. был доказаны, что будет Полу-изолируя кристалл 4H-SiC новым Ном тип средний-ультракрасного нелинейного оптически кристалла. Сравненный с обыкновенно используемыми средний-ультракрасными нелинейными оптически кристаллами, кристалл SiC имеет широкий зазор диапазона (3.2eV) должный к кристаллу. , Высокая термальная проводимость (490W/m·K) и большой скрепляет энергию (5eV) между si-C, так, что кристалл SiC будет иметь высокий порог повреждения лазера. Поэтому, полу-изолируя кристалл 4H-SiC как нелинейный кристалл преобразования частоты имеет очевидные преимущества в выводить наружу высокомощный средний-ультракрасный лазер. Таким образом, в поле высокомощных лазеров, кристалл SiC нелинейный оптически кристалл с широкими перспективами применения. Однако, настоящее исследование основанное на нелинейных свойствах кристаллов SiC и связанных применений пока не закончено. Эта работа принимает нелинейные оптически свойства кристаллов 4H- и 6H-SiC как основное содержание исследования, и направляет разрешить некоторые существенные вопросы кристаллов SiC по отоношению к нелинейным оптически свойствам, для того чтобы повысить применение кристаллов SiC в поле нелинейной оптики. Серия родственной работы была унесена теоретически и экспириментально, и основные результаты исследования следующим образом: Во-первых, основные нелинейные оптически свойства кристаллов SiC изучены. Была испытана была приспособлена переменная рефракция температуры кристаллов 4H- и 6H-SiC в видимых и средний-ультракрасных диапазонах (404.7nm~2325.4nm), и уравнение Sellmier переменного R.I. температуры. Теория одиночного генератора модельная была использована для того чтобы высчитать рассеивание термо--оптически коэффициента. Теоретическое объяснение дается; изучено влияние термо--оптического влияния на соответствовать участка кристаллов 4H- и 6H-SiC. Результаты показывают что соответствовать участка кристаллов 4H-SiC не повлиян на температурой, пока кристаллы 6H-SiC все еще не могут достигнуть соответствовать участка температуры. условие. К тому же, фактор удвоения частоты полу-изолировать кристалл 4H-SiC был испытан методом края создателя. Во-вторых, изучают поколение параметра фемтосекунды оптически и представление амплификации кристалла 4H-SiC. Соответствовать участка, групповая скорость соответствуя, самый лучший не-коллинеарный угол и самая лучшая кристаллическая длина кристалла 4H-SiC нагнетенные лазером фемтосекунды 800nm теоретически проанализированы. Используя лазер фемтосекунды с длиной волны выхода 800nm ti: Лазер сапфира как источник насоса, используя двухступенную оптически параметрическую технологию амплификации, используя 3.1mm толстый полу-изолируя кристалл 4H-SiC как нелинейный оптически кристалл, под соответствовать участка 90°, в первый раз, средний-ультракрасный лазер разбивочной длине волны 3750nm, одиночная энергия в импульсе до 17μJ, и ширина ИМПа ульс 70fs был получен экспириментально. Лазер фемтосекунды 532nm использован как свет насоса, и кристалл SiC 90°, который участк-соответствуют для генерации света сигнала с длиной волны центра выхода 603nm через оптически параметры. В-третьих, изучено спектральное расширяя проведение полу-изолировать 4H-SiC кристаллическое как нелинейное оптически средство. Экспириментально результаты показывают что ширина полу-максимума расширенных повышений спектра с кристаллической длиной и случаем плотности мощности лазера на кристалле. Линейный рост может быть объяснен принципом модуляции само-участка, которая главным образом причинена разницей R.I. кристалла с интенсивностью света случая. В то же время, проанализировано что в масштабе времени фемтосекунды, нелинейный R.I. кристалла SiC может главным образом быть приписан к связанным электронам в кристалле и свободным электронам в зоне проводимости; и технология z-развертки использована предварительно для того чтобы изучить кристалл SiC под лазером 532nm. Нелинейная абсорбция и не

линейное представление R.I.

6 дюймов - высокочистые Полу-изолируя спецификации субстратов 4H-SiC