Сапфир шестиугольная решетчатая структура, и много свойств определены своей ориентировкой кристаллов. Через эпитаксиальное выращивание кристаллов, различные ориентировки кристаллов покажут различные решетки для того чтобы соответствовать материалу цели.
Сапфир имеет некоторые характеристики двойного лучепреломления, и особенные кристаллические оси использованы в некоторых оптически полях, как поляризовыванные субстраты: субстраты сапфира К-отрезка использованы для того чтобы вырасти ИИИ-В и депозированные ИИ-ВИ фильмы, как нитрид галлия. Он может произвести голубые продукты СИД, лазерные диоды и ультракрасные применения детектора.
Напечатайте продукции субстратов а равномерные пермиттивиты/средство, и высокие уровни изоляции использованы в гибридной микроэлектронике. Высокотемпературный суперкондуктор может быть произведен типом кристаллом субстрата а.
Различные депозированные кристаллы расширения кремния наружные Р типа роста субстрата приложены к микроэлектронным интегральным схемаам. Сапфир выбор гибридных субстратов должных к своим высоким характеристикам пермиттивиты, как в интегральные схемаы микроволны. К тому же, высокоскоростные интегральные схемаы и датчики давления можно сформировать во время образования фильма для эпитаксиального роста кремния. Р типа рост субстрата можно также приложить в изготовлении тантала, других сверхпроводящих компонентах, высокоомных резисторах, арсениде галлия.
Оба типа м, а, и р могут вырасти неполярный или полу-приполюсный нитрид галлия. Сапфир как коммерческий продукт все еще требует, что много исследование улучшает материальное качество нитрида галлия эпитаксиальное.

Деталь для вафель -оси 2инч                        

Размер: 2 дюйма ССП-430-Р-аксис

Материал: Кристалл сапфира Ал2О3 КИ одиночный без пузыря; цвет;

Ориентация: Р-отрезок, Р-ось с 0.0+/-0.1°;
Диаметр: 50,8 +/-0.2мм;

Толщина: 430 ± 15 ум;
квартиры: 16,0 +/- 1,0 мм;
ориентации: 45+/-1дег. против часовой стрелки от проекции К-оси на Р-самолете, 
Поверхность: Отполированное Эпи-готовое ССП;
Ра<> (Ra) шероховатости поверхности задней части Ра <> (Ra) шершавости лицевой поверхности ТТВ = 1,0 +/-0.2ум;
Край: от 1мм;

Данные по осмотра                                                 
  

 
Другие родственные продукты