вафли титаната СрТиО3 стронция 10кс10кс0.5ммт кристаллические для высокотемпературной сверхпроводящей технологии соединения

Название продукта: Титанат стронция (описание субстратеПродукт СрТиО 3) кристаллическое:

Кристаллическая структура перовскита СрТиО 3 с разнообразие хорошим материалом соответствовать решетки, который разнообразие фильм высокотемпературной сверхпроводящей окиси тонкий и качество субстрата материальное, но также широко использованный в особенном оптически окне и самой высококачественной брызгая компании цели тимбер.ХБ имеет независимый набор производственной линии, от высококачественного порошка СрТиО3, одиночного кристалла СрТиО3 отполированного к разнообразие субстрату размеров эпитаксиальному для высококачественного недорогого глобального поставщика монокрысталлине и субстратов СрТиО3.

Технические параметры:

Спецификации:

Датчик

Эпитаксиальный полирующ субстрат <100> <110>, <111> ± 0,5 о, определяет ход или удваивает ход, Ра <5>

φ30 × 0.5мм, φ1 «× 0.5мм, 10 × 0.5мм × 10, 10 × 0.5мм × 5.

Примечание: Вы можете обеспечить особенные размеры согласно потребностям клиента и направлению субстрата.

Применение:    

СрТиО3 также предпочитаемый материал одиночного кристалла для высокотемпературной сверхпроводящей технологии соединения

(используя биморф или шагнутые субстраты) и шагать субстрата (скашивать и термическая обработка на специфических углах).

Титанат бария (СрТиО3) один из наиболее широко используемых высокотемпературных сверхпроводящих субстратов одиночного кристалла. Он имеет хороший соответствовать решетки высокотемпературным сверхпроводящим материалам как ИБаКуО, не имеет никакую двойную структуру, и имеет превосходные физические и механические свойства. Разнообразие высокотемпературные сверхпроводящие тонкие фильмы (И-серии, Би-серии, Ла-серии, етк.) изготовленные используя различный фильм формируя методы (как низложение брызгая, пульсированный лазера магнетрона, эпитаксия молекулярного луча лазера, етк.) могут получить ≥ 90°К, ДжКО≥106А/км2 и другие индикаторы ТКО. СрТиО3 также предпочитаемый материал одиночного кристалла для высокотемпературной сверхпроводящей технологии соединения (используя биморф или шагнутые субстраты) и шагать субстрата (скашивать и термическая обработка на специфических углах).

НАШИ РОДСТВЕННЫЕ ПРОДУКТЫ