MachineU > Китайские продукты > Минералы и металлургия > Металлы и изделия из металла > Другие металлы и металлопродукция
8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида
8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида
8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида
8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида
8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида
8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида
Спецификации
Номер модели :
4h-n
Место происхождения :
КИТАЙ
Количество минимального заказа :
1PCS
Условия оплаты :
T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :
1-50pcs/month
Срок поставки :
1-6weeks
Упаковывая детали :
одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Материал :
Тип 4H-N SiC одиночный кристаллический
Ранг :
Манекен/исследование/продукция
Thicnkss :
0.5MM/10-15mm
Suraface :
отполированный
применение :
носить тест
Диаметр :
8inch
Цвет :
зеленый
Описание

Двойная бортовая польская вафля 2-8» 4H n кремниевого карбида - данные допинг вафли субстратов одиночного кристалла кремниевого карбида dia 150mm слитков SiC substrate/2inch/3inch/4inch/6inch/8inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC слитков вафель SiC Wafers/8inch 200mm N типа SiC Кристл/особой чистоты 4H-N 4inch 6inch (sic)

Около кремниевый карбид (SiC) Кристл

 

Кремниевый карбид (SiC), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой SiC. SiC использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или both.SiC также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы GaN, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.

 

Описание вафли SIC
спецификация вафли SiC 4 дюймов проводная
Продукт 4H-SiC
Ранг Ранг i Ранг II Ранг III
поликристаллические области Никакие позволили Никакие позволили <5>
зоны polytype Никакие позволили ≤20% 20% | 50%
Плотность Micropipe) < 5micropipes=""> < 30micropipes=""> <100micropipes>
Полная годная к употреблению область >95% >80% N/A
Диаметр 100,0 mm +0/-0.5 mm
Толщина 500 μm ± 25 μm или спецификация клиента
Dopant тип n: азот
Основная плоская ориентация) Перпендикуляр к <11-20> ± 5.0°
Основная плоская длина 32,5 mm ± 2,0 mm
Вторичная плоская ориентация) 90° CW от основного плоского ± 5.0°
Вторичная плоская длина) 18,0 mm ± 2,0 mm
На ориентации вафли оси) ± 0.25° {0001}
С ориентации вафли оси 4.0° к <11-20> ± 0.5° или спецификации клиента
TTV/BOW/Warp < 5="">
Резистивность 0.01~0.03 Ω×cm
Поверхностный финиш Блеск стороны c. CMP стороны Si (сторона Si: Rq < 0="">

Двойной бортовой блеск

 
 

 

8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида

РАЗМЕР КАТАЛОГА ОБЩИЙ
    
 

 

Тип 4H-N/вафля/слитки SiC особой чистоты
2 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
3 вафля дюйма 4H N типа SiC
4 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
6 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC

8 дюймов 4H N типа

 

 
4H Полу-изолируя/вафля SiC особой чистоты

2 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
3 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
4 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
6 дюймов 4H Полу-изолируя вафлю SiC
8 дюймов 4H Полу-изолируя вафлю SiC
 
 
 

 

 

Применения SiC

 

Зоны применения

1: Диоды Schottky электронных устройств частоты коротковолнового диапазона и наивысшей мощности, JFET, BJT, PiN, диоды, IGBT, MOSFET

2: Электронно-оптические приборы: главным образом использованный в СИД материала субстрата СИД GaN/SiC голубом (GaN/SiC)

 

вопросы и ответы:

Q: Что путь доставки и цены?

: (1) мы признаваем DHL, Federal Express, EMS etc.

(2) оно отлично если вы имеете ваш собственный срочный счет, то если не, мы смогли помочь вам грузить их и

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.

 

Q: Как оплатить?

: Депозит T/T 100% перед доставкой.

 

Q: Что ваше MOQ?

: (1) для инвентаря, MOQ 1pcs. если 2-5pcs оно лучшее.

(2) для подгонянных общих продуктов, MOQ 10pcs вверх.

 

Q: Что срок поставки?

: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 через -4 недели после вас контакт заказа.

 

Q: Вы имеете стандартные продукты?

: Наши стандартные продукты в запасе. как вероятные субстраты 4inch 0.35mm.

 

 

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
4h-n
Место происхождения :
КИТАЙ
Количество минимального заказа :
1PCS
Условия оплаты :
T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :
1-50pcs/month
Срок поставки :
1-6weeks
Контактный поставщик
8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида
8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида
8 тип субстрат дюйма 200mm n SiC слитков Кристл вафли кремниевого карбида

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Смотреть связанные видео

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты
MachineU Китайские продукты Минералы и металлургия Металлы и изделия из металла Другие металлы и металлопродукция
Контактный поставщик
Требование о предоставлении