MachineU > Китайские продукты > Минералы и металлургия > Цветной металл > Слитки > Слитки кремния
Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов
Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов
Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов
Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов
Спецификации
Номер модели :
8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-на-HR Si Epiwafer
Место происхождения :
КИТАЙ
Количество минимального заказа :
1pcs
Условия оплаты :
T/T
Способность поставки :
50PCS в месяц
Срок поставки :
1-5weeks
Упаковывая детали :
одиночный случай вафли пакетом вакуума
Материал :
ГаН-слой на sI-субстрате
Размер :
8 дюймов / 6 дюймов
Толщина GaN :
2-5UM
Тип :
N-TYPE
Применение :
Полупроводниковое устройство
Описание

 

8 дюймовый 6 дюймовый AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer для микро-LED для RF-приложения

 

Характеристика вафеля GaN

  1. III-нитрид ((GaN,AlN,InN)

Нитрид галлия является одним из видов широкоразрывных полупроводников.

Высококачественный однокристаллический субстрат, изготовленный с использованием оригинального метода HVPE и технологии обработки пластинок, которая была первоначально разработана в течение 10+ лет в Китае.Особенности высококристаллические., хорошая однородность и превосходное качество поверхности. ГаН-субстраты используются для многих видов применений, для белого светодиода и LD ((фиолетовый, синий и зеленый).Развитие продвинулось в области применения мощных и высокочастотных электронных устройств.

 

 

Для применения энергии

Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов

Спецификация продукта

Положения Значения/пространство применения
Субстрат Да, да.
Диаметр пластины 4 ¢/ 6?? / 8”
Толщина эпислоя 4-5мм
Волокна для вафелей < 30ммТипично
Морфология поверхности RMS < 0,5 нм в 5×5 мкм²
Барьер Аль.XПошли.1-XN, 0
Кап. слой In-situSiNили GaN (D-режим); p-GaN (E-режим)
Плотность 2DEG > 9E12/см2(20nm Al)0.25GaN)
Мобильность электронов > 1800 см2/Vs(20nm Al)0.25GaN)

 

Для применения радиочастотного излучения

Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов

Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов

Спецификация продукта

Положения Значения/пространство применения
Субстрат HR_Si/SiC
Диаметр пластины 4/6/ дляSiC, 4 ¢/ 6 ¢/ 8 ¢ дляHR_Si
Эпи- толщина слоя 2-3мм
Волокна для вафелей < 30ммТипично
Морфология поверхности RMS < 0,5 нм в 5×5 мкм²
Барьер AlGaNилиAlNилиInAlN
Кап. слой In-situSiNили GaN

 

 

Для светодиодного применения

Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов

 

 

О НАШЕЙ фабрике OEM

Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов

 

Наше видение предприятия Factroy
Мы предоставим высококачественный ГаН субстрат и технологии применения для промышленности с нашей фабрикой.
Высококачественный GaN материал является ограничивающим фактором для применения III-нитридов, например, длительный срок службы
и высокой стабильности LD, высокой мощности и высокой надежности микроволновых устройств, высокая яркость
и высокоэффективные, энергосберегающие светодиоды.

- Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Что вы можете предоставить логистику и стоимость?
(1) Мы принимаем DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF и т.д.
(2) Если у вас есть свой экспресс-номер, это здорово.
Если нет, мы можем помочь вам доставить.

В: Сколько времени на доставку?
(1) Для стандартных изделий, таких как 2 дюймовые 0,33 мм пластины.
Для инвентаря: доставка осуществляется через 5 рабочих дней после заказа.
Для индивидуальных изделий: доставка осуществляется через 2 или 4 рабочих недели после заказа.

Вопрос: Как платить?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, безопасные платежи и торговая гарантия.

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-на-HR Si Epiwafer
Место происхождения :
КИТАЙ
Количество минимального заказа :
1pcs
Условия оплаты :
T/T
Способность поставки :
50PCS в месяц
Срок поставки :
1-5weeks
Контактный поставщик
Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов
Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Смотреть связанные видео

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты
MachineU Китайские продукты Минералы и металлургия Цветной металл Слитки Слитки кремния
Контактный поставщик
Требование о предоставлении