Спецификации
Место происхождения :
Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :
PCS 1000-2000
Упаковывая детали :
Положенный в коробку
Срок поставки :
1 - 2 недели
Условия оплаты :
L/C T/T Западное соединение
Способность поставки :
18,000,000PCS/в день
Номер модели :
8205A
Название продукта :
Транзистор силы Mosfet
VDSS :
6,0 a
ПРИМЕНЕНИЕ :
Управление силы
ОСОБЕННОСТЬ :
Низкая обязанность ворот
Транзистор mosfet силы :
SOT-23-6L Пластмасс-помещают
Описание

8205A SOT-23-6L Пластмасс-помещают MOSFET N-канала MOSFETS двойной

 

 

Общее описание

 

 

VDSS= V ID= 6,0 A

z 20

G1

6

D1, D2

5

G2

4

  z  

RDS (дальше) <>

25m

GS

  z  

RDS (дальше) <>

32m

GS

1 2 3

S1

D1, D2 S2

 

 

 

 

ОСОБЕННОСТЬ

 

MOSFET силы z TrenchFET

z превосходный RDS (дальше)

обязанность ворот z низкая

наивысшая мощность z и настоящая вручая возможность

пакет держателя z поверхностный

 

 

ПРИМЕНЕНИЕ

 

предохранение от батареи z

переключатель нагрузки z

управление силы z

 

 

Тип блок условия испытаний символа параметра минимальный Макс
СТАТИЧЕСКОЕ CHARACTERICTISCS
пробивное напряжение v Сток-источника (BR) DSS VGS = 0V, ID =250µA 19 v
Нул стоков настоящее IDSS VDS =18V напряжения тока ворот, µA VGS = 0V 1
утечка настоящее IGSS VGS =±10V Ворот-тела, nA VDS = 0V ±100
Напряжение тока порога ворот (примечание 3) VGS (th) VDS =VGS, ID =250µA 0,5 0.9V
Переднее tranconductance (gFS VDS =5V примечания 3), ID =4.5A 10 s
Пропускное напряжение диода (примечание 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 v

 

 

ДИНАМИЧЕСКОЕ CHARACTERICTISCS (note4)
Ciss входной емкости 800 pF
Емкость выхода Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 pF
Обратная емкость Crss 125 pF передачи

 

 

ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ CHARACTERICTISCS (примечание 4)
Время задержки td включения (дальше) 18 ns
Время восхода tr VDD=10V включения, VGS=4V, 5 ns
Время задержки td поворота- () ID=1A, RGEN=10Ω 43 ns
Время падения tf поворота- 20 ns
Полная обязанность Qg 11 nC ворот
Обязанность Qgs VDS =10V Ворот-источника, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 nC
Обязанность Qgd 2,5 nC Ворот-стока

 

 

Примечания:

1. Повторяющийся оценка: Ширина Pluse ограничиваемая максимальной температурой соединения

2. Поверхностное установленное на FR4 доске, sec t≤10.

3. Тест ИМПа ульс: ИМП ульс width≤300μs, обязанность cycle≤2%.

4. Гарантированный дизайн, не вопрос к продукции.

 

 

 

RoHS удваивает MOSFETS транзистора силы SOT-23-6L Mosfet канала n 6,0 VDSS

RoHS удваивает MOSFETS транзистора силы SOT-23-6L Mosfet канала n 6,0 VDSSRoHS удваивает MOSFETS транзистора силы SOT-23-6L Mosfet канала n 6,0 VDSS

 

 

Размеры плана пакета SOT-23-6L

 

 

RoHS удваивает MOSFETS транзистора силы SOT-23-6L Mosfet канала n 6,0 VDSS

RoHS удваивает MOSFETS транзистора силы SOT-23-6L Mosfet канала n 6,0 VDSS

 

 

 

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

RoHS удваивает MOSFETS транзистора силы SOT-23-6L Mosfet канала n 6,0 VDSS

Спросите последнюю цену
Место происхождения :
Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :
PCS 1000-2000
Упаковывая детали :
Положенный в коробку
Срок поставки :
1 - 2 недели
Условия оплаты :
L/C T/T Западное соединение
Способность поставки :
18,000,000PCS/в день
Контактный поставщик
RoHS удваивает MOSFETS транзистора силы SOT-23-6L Mosfet канала n 6,0 VDSS

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Годы
shenzhen
Вид деятельности :
Изготовление
Основные продукты :
, ,
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Контактный поставщик
Требование о предоставлении