Спецификации
Номер модели :
ВБЭ6006Х
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1шт
Способность поставкы :
10k
Срок поставки :
5-8 рабочих дней
Упаковывая детали :
нейтральная упаковка
Условие :
Совершенно новый и оригинальный
Описание

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

 

 

 

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

Спросите последнюю цену
Номер модели :
ВБЭ6006Х
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1шт
Способность поставкы :
10k
Срок поставки :
5-8 рабочих дней
Упаковывая детали :
нейтральная упаковка
Контактный поставщик
ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Verified Supplier
8 Годы
guangdong, shenzhen
С тех пор 2010
Вид деятельности :
Изготовление
Общее годовое :
5000000-10000000
Количество работников :
100~150
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Контактный поставщик
Требование о предоставлении