Вольфрам брызгая цель важный субстрат для фильма окиси вольфрама для того чтобы осуществить свой функциональный переход в полупроводниковом устройстве. Должный к высокой точке плавления вольфрама, целей вольфрама главным образом подготовьте порошковыми металлургиями

Должный к своим высокотемпературной стабильности, высокому сопротивлению перехода электрона и высокому коэффициенту электронной эмиссии, тугоплавкому вольфраму металла и сплавам вольфрама широко используйте в производстве интегральной схемаы большого диапазона полупроводника. Высокочистые цели вольфрама и сплава вольфрама для полупроводников. Области применения, требования производительности и методы подготовки материалов были проанализированы подробно, и направление развития было искать. Высокочистые цели вольфрама и сплава вольфрама главным образом использованы для того чтобы изготовить электроды ворот, проводки соединения и границы диффузии интегральных схема полупроводника. Etc.,

весьма высокие требования на очищенности единообразия материалов, содержания примеси, плотности, размера зерна и зернистой структуры. Высокочистые цели вольфрама и сплава вольфрама главным образом используют горячий отжимать, горячий изостатический отжимать, etc. посредством средств-частоты спекая + обработка давления, высокочистая, цели вольфрама высокой плотности можно подготовить, но управление единообразия размера зерна и зернистой структуры, нет столь же хороший как цели вольфрама подготовленные горячий изостатический отжимать.

Спеченная цель вольфрама для брызгать, характеризовала в этом она показывает относительную плотность 99% или больше, среднем диаметре кристаллического зерна 100 m или более менее, содержании кислорода 20 ppm или более менее и силы отклонения MPa 500 или больше и метода для подготовки цели вольфрама со стабильностью на низкой цене, которая использует улучшенные условия продукции для порошка вольфрама сырья и улучшенные условия спекать. Спеченная цель вольфрама имеет высокий уровень плотности и высокой степени мелкости кристаллической структуры которая никогда не была достигана обычным методом спекать давления и заметно улучшена в силе отклонения, которая приводила в значительном уменшении в возникновении дефектов частицы.

Материал: Вольфрам

Условие: земля

Применение: Индустрия PVD покрывая, трубка рентгеновского снимка и так далее.