MachineU > Китайские продукты > Химикаты > Неорганические химикаты > Неметаллические продукты > Огнеупорный
Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET
Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET
Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET
Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET
Спецификации
Место происхождения :
Китай
Условия оплаты :
T/T ЗАРАНЕЕ
Срок поставки :
ОБЫЧНО 1 МЕСЯЦ
Упаковывая детали :
СУМКИ, БОЧОНКИ, КОРОБКИ
Материал :
нитрид силикона
Цвет :
Черный
Применение :
IGBT
Описание

Описание

 

Керамика из нитрида кремния обладает множеством превосходных характеристик, таких как высокая твердость, высокая прочность, небольшой коэффициент теплового расширения, небольшой высокотемпературный пропол, хорошие антиоксидантные характеристики,хорошие характеристики тепловой коррозии;Это лучший керамический материал в комплексной производительности. Он широко используется в области аэрокосмической, скоростной железной дороги и новых энергетических транспортных средств.Это важный материал для рассеивания тепла для изоляционных биполярных кристаллических труб (IGBT) и силовых модулей карбида кремния (SIC MOSFET).

Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET  Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET

 

Особенности

  • Высокая твердость, высокая прочность
  • Хорошая антиоксидантная эффективность
  • Хорошие характеристики тепловой коррозии
  • Коэффициент теплового расширения небольшой
  • Маленький высокотемпературный ползунок
  • Небольшие коэффициенты трения

 

Размер

РазмерТолщинаДлина и ширина
0.32 мм.114.3*114.3 мм
138*190 мм
Примечания: на заказ

 

 
Свойства материалов

Свойства материаловФормулаДа, да.3N4
ЦветСерый/белый
Плотность ((g/cm)3)≥ 3.20
Грубость поверхности Ra
(μm)		0.200-0.600
Сила изгиба
(MPa)		>800
Кэмбер
(длина‰)		≤ 3
Теплопроводность
(25°C,В/мк)		>80
Коэффициент теплового расширения
(10-6/K{40-400°C- Нет.		2.0-3.0
Коэффициент теплового расширения
(10-6/K{40-800°C- Нет.		2.0-3.0
Диэлектрическая постоянная≥ 17
Сопротивление объема≥ 1014

 

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Место происхождения :
Китай
Условия оплаты :
T/T ЗАРАНЕЕ
Срок поставки :
ОБЫЧНО 1 МЕСЯЦ
Упаковывая детали :
СУМКИ, БОЧОНКИ, КОРОБКИ
Материал :
нитрид силикона
Цвет :
Черный
Контактный поставщик
Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET
Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET

Zhuhai Cersol Technology Co, Ltd

Active Member
4 Годы
guangdong, zhuhai
С тех пор 2020
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
500000-1000000
Количество работников :
10~50
Уровень сертификации :
Active Member
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Смотреть связанные видео

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты
MachineU Китайские продукты Химикаты Неорганические химикаты Неметаллические продукты Огнеупорный
Контактный поставщик
Требование о предоставлении