Характер продукции

Вживление иона очень важная технология в современном производстве IC, которое использует implanters иона для того чтобы дать допинг полупроводникам, т.е., используя провода вольфрам-тория как катоды для того чтобы испустить электроны для того чтобы бомбардировать молекулы газа содержа специфические элементы примеси, приводящ в ионизированных специфических атомах примеси ускоренных ход электростатическими полями на поверхность вафель кремния одиночных кристаллических и в полупроводник, изменяя проводные свойства и окончательно формируя структуры транзистора. Инжектор иона состоит из системы газа, системы вакуума, системы мотора, системы управления, и системы beamline.

Система beamline включает источник иона, электрод извлечения, массовый спектрометр, конечный акселератор, систему обезвреживания обязанности, обработчик вафли, и блокатор луча. Приборы вольфрама сделали из толстых плит вольфрама (2~45 mm) главным образом использованы в системе источника иона implanters иона полупроводника для того чтобы ограничить и защитить ионизируя лучи, и ключевые компоненты системы источника иона.

Обрабатывая процесс высокоточных приборов вольфрама для вживления иона полупроводника → порошка вольфрама отжимая термическую обработку → → спекать → свертывая законченного - подвергать механической обработке → вырезывания провода → продуктов.

Особенности:

Очищенность волновода молибдена над 99,95%;
Своя плотность выше чем ³ 10,2 g/cm;
Точно подверганный механической обработке и с превосходной шероховатостью поверхности;

Волновод молибдена сильного сопротивления носки.

Деталь продукта

Упаковка & доставка:

Индустрия применения

Индустрия материалов полупроводника
Морская индустрия транспорта
Оптически и электронно-оптическая индустрия
Авиационно-космическая промышленность