JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать Видео из Китая

Sep 15, 2024

35849 мнения

Описание продукта: 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящей одиночной кристаллической толщине 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec ранга продукта субстрата Ga2O3 одиночноУзнать больше

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать

JDCD04-001-002

Сучжоу Китай

Свяжитесь сейчас

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Годы

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми

система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми

система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

Заменить партию

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристалл

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристалл

Просмотр деталей

Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2

Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2

Просмотр деталей

Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3

Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3

Просмотр деталей

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный

Просмотр деталей

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3

Просмотр деталей

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты

MachineU Видеоканал Химикаты Неорганические химикаты Окись

Контактный поставщик

Сообщение*

Электронная почта*

Телефон или WhatsApp*

Имя

Компания

Требование о предоставлении

Пожалуйста, ответьте мне в течение 24 часов.

Да, я бы хотел получить подтвержденные поставщики!