JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка Видео из Китая

Sep 15, 2024

35849 мнения

Описание продукта: 10x10 мм2 100 (отклонение 6°) отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 с примесью железа. Полировка продукта. Плотность мощности зУзнать больше

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка

JDCD04-001-003

Сучжоу Китай

Свяжитесь сейчас

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Годы

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода

Заменить партию

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристалл

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристалл

Просмотр деталей

Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2

Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2

Просмотр деталей

Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3

Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3

Просмотр деталей

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный

Просмотр деталей

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3

Просмотр деталей

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты

MachineU Видеоканал Химикаты Неорганические химикаты Окись

Контактный поставщик

Сообщение*

Электронная почта*

Телефон или WhatsApp*

Имя

Компания

Требование о предоставлении

Пожалуйста, ответьте мне в течение 24 часов.

Да, я бы хотел получить подтвержденные поставщики!