JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС Видео из Китая

Jun 09, 2025

17 мнения

Описание продукта: 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС Обзор Хотя кристаллы кремния могут выглядеть металлическими, они не являются полнУзнать больше

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

JDCD07-001-001

Сучжоу Китай

Свяжитесь сейчас

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Годы

JDCD07-001-002 5 дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS

JDCD07-001-002 5 дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS

JDCD07-001-002 5 дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

Заменить партию

4" 5" 6" тип p вафли Si/тип n бора/как тип/Sb n

4" 5" 6" тип p вафли Si/тип n бора/как тип/Sb n

Просмотр деталей

0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора

0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора

Просмотр деталей

Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G

Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G

Просмотр деталей

Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное

Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное

Просмотр деталей

Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка

Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка

Просмотр деталей

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты

MachineU Видеоканал Красота и уход за собой Косметическое оборудование Оборудование для салонов красоты Машина для микродермабразии

Контактный поставщик

Сообщение*

Электронная почта*

Телефон или WhatsApp*

Имя

Компания

Требование о предоставлении

Пожалуйста, ответьте мне в течение 24 часов.

Да, я бы хотел получить подтвержденные поставщики!