JDCD07-001-004 7-дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS Видео из Китая

Jun 09, 2025

17 мнения

Описание продукта: 7-дюймовая эпитаксиальная пластина КНИ для обработки МЭМС ОбзорКремниевая пластина — это материал, необходимый для производства полупроводниУзнать больше

JDCD07-001-004 7-дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS

JDCD07-001-004 7-дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS

JDCD07-001-004

Сучжоу Китай

Свяжитесь сейчас

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Годы

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми

система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми

система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

Заменить партию

JDCD07-001-002 5 дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS

JDCD07-001-002 5 дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS

Просмотр деталей

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

Просмотр деталей

4" 5" 6" тип p вафли Si/тип n бора/как тип/Sb n

4" 5" 6" тип p вафли Si/тип n бора/как тип/Sb n

Просмотр деталей

0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора

0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора

Просмотр деталей

Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G

Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G

Просмотр деталей

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты

MachineU Видеоканал Красота и уход за собой Косметическое оборудование Оборудование для салонов красоты Машина для микродермабразии

Контактный поставщик

Сообщение*

Электронная почта*

Телефон или WhatsApp*

Имя

Компания

Требование о предоставлении

Пожалуйста, ответьте мне в течение 24 часов.

Да, я бы хотел получить подтвержденные поставщики!