JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка Видео из Китая

Jun 09, 2025

17 мнения

Описание продукта: 10x10 мм2 (010) отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3, легированная оловом. Качество продукта, одинарная полировка. Толщина 0,6~0,8 мм FУзнать больше

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка

JDCD04-001-007

Сучжоу Китай

Свяжитесь сейчас

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Годы

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода

Заменить партию

Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2

Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2

Просмотр деталей

Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3

Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3

Просмотр деталей

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный

Просмотр деталей

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3

Просмотр деталей

Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подлож

Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подлож

Просмотр деталей

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты

MachineU Видеоканал Химикаты Неорганические химикаты Окись

Контактный поставщик

Сообщение*

Электронная почта*

Телефон или WhatsApp*

Имя

Компания

Требование о предоставлении

Пожалуйста, ответьте мне в течение 24 часов.

Да, я бы хотел получить подтвержденные поставщики!