MachineU > Китайские продукты > Минералы и металлургия > Углеродистая сталь > Изделия из плоской стали > Кремниевая сталь
Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора
Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора
Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора
Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора
Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора
Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора
Спецификации
Номер модели :
сик-6инч 4х-н
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1шт
Срок поставки :
15дайс внутри
Упаковывая детали :
подгонянным случаем
индустрия :
субстрат полупроводника
материалы :
кристалл sic
применение :
5G, материал прибора, MOCVD, производительность электроники
Тип :
4H-N, semi, данное допинг никакое
цвет :
зеленый, голубой, белый
hardeness :
9,0 вверх
Описание
субстраты 6инч сик, слиток сик, слитки сик кристаллические, блок сик кристаллический, субстраты полупроводника сик, вафля кремниевого карбида 6инч, вафля 4Х-семи СиК, тип фиктивная вафля 6инч 4Х-Н сик ранга для теста,
1. Описание
Свойство 4Х-СиК, одиночное Кристл 6Х-СиК, одиночное Кристл
Параметры решетки а=3.076 Å к=10.053 Å а=3.073 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность АБКБ АБКАКБ
Твердость Мохс ≈9.2 ≈9.2
Плотность 3,21 г/км3 3,21 г/км3
Тхэрм. Коэффициент расширения 4-5×10-6/К 4-5×10-6/К
Индекс @750нм рефракции

отсутствие = 2,61

не = 2,66

отсутствие = 2,60

не = 2,65
Диэлектрическая константа к~9.66 к~9.66
ohm.cm термальной проводимости (Н типа, 0,02)

а~4.2 В/км·K@298K

к~3.7 В/км·K@298K
Термальная проводимость (Полу-изолировать)

а~4.9 В/км·K@298K

к~3.9 В/км·K@298K

а~4.6 В/км·K@298K

к~3.2 В/км·K@298K
Диапазон-зазор еВ 3,23 еВ 3,02
Поле нервного расстройства электрическое 3-5×106В/км 3-5×106В/км
Дрейфовая скорость сатурации 2.0×105м/с 2.0×105м/с
2. Материальное дескрибтион размера
спецификация субстрата кремниевого карбида 6 дюймов диаметра (СиК)
Ранг Ранг з Ранг п Ранг р Ранг д
　 　 　 　
ЗЭРО МПД Продукция Ранг исследования Фиктивная ранг
　 　 　 　
Диаметр 150мм±0.5 мм
Толщина 350 μм±25μм или 500±25ум или подгонянным размером
Ориентация вафли С оси: 4.0° к <1120> ±0.5° для 4Х-Н
Плотность Микропипе ≤1км-2 см-2 ≤5 см-2 ≤15 см-2 ≤50
Резистивность 4Х-Н 0.015~0.028 Ω·см
4/6Х-СИ >1Э5 Ω·см
Основная квартира {10-10} ±5.0°
Основная плоская длина 47.5мм±2.5 мм
Исключение края 3мм
ТТВ/Бов /Warp ≤15μм/≤40μм/≤60μм
Шершавость Польское Ра≤1 нм
КМП Ра≤0.5 нм
Никакие Никакие 1 позволенный, ≤1 мм
Отказы светом высокой интенсивности
Плиты наговора светом высокой интенсивности Кумулятивное ареа≤ 1% Кумулятивное ареа≤ 1% Кумулятивное ареа≤ 3%
Никакие Кумулятивное ареа≤ 2% Кумулятивное ареа≤5%
Зоны Полытыпе светом высокой интенсивности
　
3 царапины к длине диаметра 1×вафер кумулятивной 5 царапин к длине диаметра 1×вафер кумулятивной 8 царапин к длине диаметра 1×вафер кумулятивной
Царапины светом высокой интенсивности
　
Обломок края Никакие 3 позволенного, ≤0.5 мм каждое 5 позволенных, ≤1 мм каждое
Загрязнение светом высокой интенсивности Никакие
3. продукты
Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибораОтполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора

вопросы и ответы:

К: Что путь доставки и цены?

А: (1) мы признаваем ДХЛ, Федерал Экспресс, ЭМС етк.

(2) он отлично если вы имеете ваш собственный срочный кчет, то если не, мы смогли помочь вам грузить их и

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.

К: Как оплатить?

А: Депозит Т/Т 100% перед доставкой.

К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 1пкс. если 2-5пкс оно лучшее.

(2) для подгонянных общих продуктов, МОК 10пкс вверх.

К: Что срок поставки?

А: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 -4 недель после того как вы приказываете контакт.

К: Вы имеете стандартные продукты?

А: Наши стандартные продукты в запасе. как как субстраты 4инч 0.35мм.

Тханкс~~~
Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
сик-6инч 4х-н
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1шт
Срок поставки :
15дайс внутри
Упаковывая детали :
подгонянным случаем
индустрия :
субстрат полупроводника
Контактный поставщик
Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора
Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора
Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
Вафля нитрида галлия, Вафля сапфира, Субстрат SiC
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты Субстрат SiC
MachineU Китайские продукты Минералы и металлургия Углеродистая сталь Изделия из плоской стали Кремниевая сталь
Контактный поставщик
Требование о предоставлении