Главная страница поставщика > Продукты > Субстрат SiC

Категории продуктов

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(91)

Субстрат SiC

(146)

Сапфир оптически Виндовс

(79)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Синтетический сапфир штанга

(15)

Плита плавленного кварца

(42)

Части сапфира

(114)

Синтетическая драгоценная камень

(77)

Оборудование полупроводника

(65)

Вафля LiNbO3

(18)

Вафля GaAs

(25)

Вафля фосфида индия

(34)

керамический субстрат

(39)

Оболочка лаборатории

(35)

Субстрат SiC

100

Выберите из наших Субстрат sic Продукты, Узнайте больше, и не стесняйтесь спрашивать нас

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

Горячая продажа!

Субстрат SiC

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

Номер модели：сик 6инч

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

Горячая продажа!

Субстрат SiC

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

Номер модели：2инч-6х

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора

Горячая продажа!

Субстрат SiC

Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора

Номер модели：сик-6инч 4х-н

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

тип ранг 2инч 3инч Дя100м 4Х-Н продукции вафли кремниевого карбида для полупроводникового устройства

Номер модели：4инч--Н, 4Х-семи

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Номер модели：Слиток

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

Номер модели：4инч--семи особая чистота

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным

Номер модели：10x10mm

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

Толщина вафли 0.5mm кремниевого карбида Как-отрезка 4H-N для производительности электроники

Номер модели：6inch

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Номер модели：4инч--семи особая чистота

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик

Номер модели：4инч--семи особая чистота

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

Фиктивная толщина вафли Dia150mm 4H-N 500mm субстрата ранга 6Inch Sic

Номер модели：6инч-001

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

ФИКТИВНЫЕ основные субстраты толщины вафли 0.5мм 0.35мм ДСП 4Х-Н/семи сик кремниевого карбида ранга 6инч

Номер модели：6инч сик

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

Бесцветный прозрачный кремниевый карбид SiC отполировал объектив вафли

Номер модели：ХПСИ

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

Вафля кремниевого карбида SIC Кристл

Номер модели：вафли семени 6инч

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

Объектив sic Undoped прозрачного кремниевого карбида кристаллический оптически с твердостью 9,2

Номер модели：прозрачное бесцветное

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл

Номер модели：4H-N, 4inch

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

вафли Sic кремниевого карбида 4h-N 3inch 4inch 2inch 0.35mm DSP поверхностные

Номер модели：4H-N, 3inch

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

SiC кристаллическое 4H-SEMI 4" оптически вафля кремниевого карбида

Номер модели：особая чистота ООН-дала допинг 4h-semi

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

объектив блока Sic высокой резистивности термальной проводимости оптически для оптики суммы

Номер модели：особая чистота ООН-дала допинг 4h-semi

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Субстрат SiC

5x40mm подгонянные обломоки субстратов вафель 4H-N Sic sic Кристл формы

Номер модели：6h-n, 4h-semi

Место происхождения：Китай

Свяжитесь сейчас

Смотрите больше