Спецификации
Номер модели :
N-type/P-type
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1pc
Условия оплаты :
T/T, западный PayPal соединения;
способность поставки :
50 шт/месяц
Срок поставки :
1-4weeks
Упаковывая детали :
одиночная коробка контейнера вафель под комнатой чистки
Материал :
InAs monocrystalline
Толщина :
500um ±25um
Тип :
Un-doepd/Sn/S/Zn-doped
Ориентация :
100/111
Метод роста :
LEC
Применение :
ультракрасный прибор люминесценции
Индустрия :
Субстрат полупроводника
Поверхность :
DSP/SSP
Описание

тип вафли вафель 32inch InAs N типа ООН-данный допинг GaSb вафель GaAs

Применение

Кристалл InAs одиночный можно использовать как материал субстрата для того чтобы вырасти InAsSb/InAsPSb, InNAsSb и другие материалы гетероперехода, и длина волны продукции прибор 2~14 μ m ультракрасный светоиспускающий. Субстрат InAs одиночный кристаллический можно также использовать для эпитаксиального роста материалов сверхрешетки AlGaSb структурных, и продукции средний-ультракрасных лазеров каскада суммы. Эти ультракрасные приборы имеют хорошие перспективы применения в полях обнаружения газа и малопотертой связи стекловолокна. К тому же, кристалл InAs одиночный имеет высокую подвижность электрона и идеальный материал для приборов Hall.

Характеристика продуктов

●Кристалл растется жидкост-загерметизированной технологией Czochralski (LEC) со зрелой технологией и стабилизированным электрическим представлением


●Аппаратура ориентации рентгеновского снимка использована для точной ориентации, и отступление ориентировки кристаллов только º ± 0,5


●Вафля отполирована химической механической полируя технологией (CMP), и шероховатость поверхности чем 0.5nm


●Соотвествуйте пользы «из коробки»


●Особенные продукты спецификации можно обрабатывать согласно требованиям к потребителя

Деталь спецификации вафель

Электрические параметры
Dopant Тип

Концентрация несущей

(cm-3)

подвижность

(cm2V-1s-1)

плотность дислокации

(см-2)

ООН-данный допинг n типа <5x1016 ≥2x104 ≤50000
Sn-данный допинг n типа (5-20) x1017 >2000 ≤50000
S-данный допинг n типа (3-80) x1017 >2000 ≤50000
Zn-данный допинг P типа (3-80) x1017 60~300 ≤50000
Размер 2" 3"
Диаметр (mm) 50.5±0.5 76.2±0.5
Толщина (um) 500±25 600±25
Ориентация (100)/(111) (100)/(111)
Tolerane ориентации ±0.5º ±0.5º
длины (mm) 16±2 22±2
2st ИЗ длины (mm) 8±1 11±1
TTV (um) <10 <10
Обхватывайте (um) <10 <10
Снуйте (um) <15 <15

N типа/ООН-данный допинг тип вафли GaSb 2inch InAs вафель GaAsN типа/ООН-данный допинг тип вафли GaSb 2inch InAs вафель GaAs

Вафля зазора вафли GaSb вафли GaAs вафли InP вафли InSb вафли InAs если вы более интересны в вафле, то insb, пожалуйста отправляет электронные почты в нас

ZMSH, как поставщик вафли полупроводника, предлагает субстрат полупроводника и эпитаксиальные вафли SiC, GaN, смеси группы III-V и etc.

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

N типа/ООН-данный допинг тип вафли GaSb 2inch InAs вафель GaAs

Спросите последнюю цену
Номер модели :
N-type/P-type
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1pc
Условия оплаты :
T/T, западный PayPal соединения;
способность поставки :
50 шт/месяц
Срок поставки :
1-4weeks
Контактный поставщик
N типа/ООН-данный допинг тип вафли GaSb 2inch InAs вафель GaAs
N типа/ООН-данный допинг тип вафли GaSb 2inch InAs вафель GaAs
N типа/ООН-данный допинг тип вафли GaSb 2inch InAs вафель GaAs
N типа/ООН-данный допинг тип вафли GaSb 2inch InAs вафель GaAs

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Контактный поставщик
Требование о предоставлении