Особенности лазерной эпитаксиальной пластины GaAs

- используют для производства газициновых пластин

- поддерживать индивидуальные с дизайном рисунков

- прямой пробел, эффективно излучает свет, используется в лазерах.

- в диапазоне длин волн от 0,7 мкм до 0,9 мкм, квантовые скважины

- с использованием таких методов, как MOCVD или MBE, гравирование, металлизация и упаковка для достижения конечной формы устройства

Описание лазерной эпитаксиальной пластины GaAs

Эпитаксиальная пластина из галлиевого арсенида (GaAs) является важным полупроводниковым материалом, широко используемым в оптоэлектронике и высокочастотных электронных устройствах.

Он выращивается на галлиевом арсенидном субстрате с помощью технологии эпитаксиального роста и обладает отличными оптоэлектронными свойствами.

Прямые характеристики диапазона GaAs делают его особенно заметным в светоизлучающих диодах (LED) и лазерных диодах (LD),которые могут эффективно излучать свет и подходят для оптических коммуникаций и технологий отображения.

По сравнению с кремниевым, GaAs имеет более высокую мобильность электронов и может поддерживать более быстрые скорости переключения, что особенно подходит для радиочастотных (RF) и микроволновых устройств.

Кроме того, эпитаксиальные пластинки GaAs демонстрируют хорошую стабильность и низкие характеристики шума в условиях высокой температуры, что делает их подходящими для различных высокомощных и высокочастотных приложений.

В процессе производства обычно используемые технологии эпитаксиального роста включают отложение металлических органических химических паров (MOCVD) и эпитаксию молекулярного луча (MBE),которые обеспечивают высокое качество и однородность эпитаксиального слоя.

После изготовления эпитаксиальная пластина GaAs проходит такие процессы, как офорта, металлизация и упаковка, чтобы наконец сформировать высокопроизводительные электронные и оптоэлектронные устройства.

С развитием науки и технологий области применения эпитаксиальных пластин GaAs продолжают расширяться, особенно в области оптической связи, солнечных батарей и датчиков,показывает широкие перспективы рынка.

Подробнее о лазерной эпитаксиальной пластине GaAs

Как ведущий поставщик субстратов GaAs, ZMSH специализируется на производстве эпигономичных подложки галлиевого арсенида (GaAs).

Мы предлагаем разнообразные типы, включая полупроводящие пластины n-типа, C-допированные и p-типа как в первоклассных, так и в фальшивых.

Сопротивляемость наших субстратов ГаА варьируется в зависимости от используемых допирующих веществ: кремниедопированные или цинкодопированные пластинки имеют диапазон сопротивляемости 0,001 × 0,009 ом/см,в то время как углерод-допированные пластинки имеют сопротивление ≥ 1 × 10^7 ом·см.

Наши гаас-вофли доступны в кристаллических ориентациях (100) и (111), с (100) толерантностью ориентации 2°, 6° или 15°.

Плотность резки (EPD) для наших пластинок GaAs обычно <5000/cm2 для светодиодных приложений и <500/cm2 для лазерных диодов (LD) и микроэлектроники.

Рекомендации по аналогичным продуктам

1.2" S Допированный полупроводниковый GaP EPI Wafer N Type P Type 250um 300um светоизлучающие диоды

2.2" 3" FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Сухой влажный окислительный слой 100nm 300nm

Частые вопросы

1. Вопрос: Что насчет стоимости GaAs лазерных эпитаксиальных пластин по сравнению с другими пластинками?

A: Лазерные эпитаксиальные пластинки GaAs, как правило, дороже, чем кремниевые пластинки и некоторые другие полупроводниковые материалы.

2Вопрос: Что насчет будущих перспектив ГаА?лазерная эпитаксиальнаяпластинки?
О: Будущие перспективы лазерных эпитаксиальных пластин с ГаА весьма перспективны.