синь GaN-НА-сапфира 2inch 4inch 6inch привела epi-вафлю PSS для HEMT

Как ведущие изготовитель и поставщик вафель epi GaN (нитрида галлия), мы предлагаем 2-6inch GaN на вафлях epi сапфира для применений электроники микроволны с толщиной 2 на дюйме субстратов 430um сапфира C-самолета, 4 дюймах 520um, 650um и 6 дюймов 1000-1300um, нормальное значение амортизирующего слоя GaN 2-4um; мы можем также обеспечить подгонянные структуры и параметры согласно требованиям клиента.

GaN на шаблонах сапфира

GaN на шаблонах сапфира доступно в диаметрах от 2" до 6" и состоит из тонкого слоя кристаллического GaN, который выросло HVPE на субстрате сапфира. Epi-готовые шаблоны теперь доступные

Как ведущие изготовитель и поставщик вафель epi GaN (нитрида галлия), мы предлагаем 2-6inch GaN на вафлях epi сапфира для применений электроники микроволны с толщиной 2 на дюйме субстратов 430um сапфира C-самолета, 4 дюймах 520um, 650um и 6 дюймов 1000-1300um, нормальное значение амортизирующего слоя GaN 2-4um; мы можем также обеспечить подгонянные структуры и параметры согласно требованиям клиента.

Особенности основы (голубые/зеленая структура СИД):
хорошее кристаллическое качество
Высокопроизводительные электронно-оптические приборы

Для больше информации, пожалуйста посетите наш вебсайт другая страница;
отправьте нами электронную почту на eric-wang@galliumnitridewafer.com

ZMSH ведущий изготовитель материала полупроводника в Китае. ZMSH развивает предварительные технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, процессы производства, проектированные субстраты и полупроводниковые устройства. Наши технологии включают высокий класс исполнения и более недорогое производство вафли полупроводника.

Вы можете получить наше свободное обслуживание технологии от дознания к после обслуживанию основанному на наших опытах 10+ в линии полупроводника.