MachineU > Китайские продукты > Минералы и металлургия > Цветной металл > Слитки > Слитки кремния
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV
Спецификации
Номер модели :
Субстраты германия
Место происхождения :
Китай
Условия оплаты :
T/T
Время доставки :
2-4 недели
Материалы: :
Кристалл Ge одиночный
Диаметр: :
0.5~150mm
Толщина: :
0.5 мм
Тип: :
N-тип/P-тип/недопированный
Поверхность: :
Полированные/и т.д.
Резистивность: :
0.1~60 ом.см.
Индустрия: :
субстраты полупроводника, прибор, оптически
Описание

Описание продукта

Подложки полупроводниковых пластин германия < 111> концентрирующие фотоэлектрические CPV по индивидуальным размерам

Германий обладает хорошими полупроводниковыми свойствами. Высокочистый германий допируется тривалентными элементами (например, индием, галлием, бором) для получения полупроводников германия типа P,и пентавалентных элементов (eОни имеют высокую мобильность электронов и высокую мобильность отверстий.Высококачественные субстраты германия могут использоваться в концентрированной фотоэлектрике (CPV), космические солнечные батареи и светодиоды высокой яркости.

Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты <111> Концентрирующие фотоэлектрические CPVГегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты <111> Концентрирующие фотоэлектрические CPV

Особенности

- константа решетки больше, чем у кремния, что способствует построению гетероструктур.

- Высокая мобильность электронов, примерно в 3 раза превышающая мобильность кремния, способствует изготовлению высокоскоростных электронных устройств.

- Небольшая ширина диапазона (0,67 eV) делает его подходящим для инфракрасного фотоэлектрического обнаружения и эмиссии.

Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты <111> Концентрирующие фотоэлектрические CPV

Он более чувствителен к излучению и подходит для радиочувствительного электронного оборудования.

Технология обработки относительно сложная, а стоимость высокая.

Технические параметры

Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты <111> Концентрирующие фотоэлектрические CPV

Заявления

1Высокочастотная аналоговая и радиочастотная электроника: микроволновые диоды, транзисторы, интегральные схемы; электронное оборудование в микроволновом диапазоне частот, такое как радар и связи.

2Инфракрасное фотоэлектрическое обнаружение и излучение: инфракрасный детектор, теплоизолятор; инфракрасные излучающие диоды, лазерные диоды.

3Радиационночувствительные электронные устройства: соединенные полупроводниковые гетероструктуры: аэрокосмическая авиационная система; атомные электростанции и электронное оборудование в военной области.

4. Соединенные полупроводниковые гетероструктуры: материалы для субстрата III-V соединений, таких как GaAs, InP и т.д.; гетерогенные структуры солнечных элементов, лазерных диодов и т.д.

Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты <111> Концентрирующие фотоэлектрические CPV

Наши услуги

1Производство и продажа на заводе.

2Быстрые, точные цитаты.

3Мы ответим вам в течение 24 рабочих часов.

4. ODM: индивидуальный дизайн доступен.

5Скорость и ценная доставка.

Частые вопросы

1. Вопрос: Как платить?
A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Безопасные платежи и торговля
Уверенность в и т.д.

2. Q: Могу ли я настроить продукты на основе моих потребностей?
О: Да, мы можем настроить материал, спецификации для ваших оптических компонентов
в зависимости от ваших потребностей.

3.Q: Каков ваш MOQ?
A: (1) Для инвентаря, MOQ составляет 3 шт.
(2) Для индивидуальных продуктов MOQ составляет 25 штук.

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты <111> Концентрирующие фотоэлектрические CPV

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
Субстраты германия
Место происхождения :
Китай
Условия оплаты :
T/T
Время доставки :
2-4 недели
Материалы: :
Кристалл Ge одиночный
Диаметр: :
0.5~150mm
Контактный поставщик
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV
Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты Концентрирующие фотоэлектрические CPV

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
Вафля нитрида галлия, Вафля сапфира, Субстрат SiC
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты Вафля фосфида индия
MachineU Китайские продукты Минералы и металлургия Цветной металл Слитки Слитки кремния
Контактный поставщик
Требование о предоставлении